全球半導體專利戰不斷升溫，在昨日才剛剛報導 Micron 在中國侵權訴訟敗訴，最新由“韓國時報”的報導指出，韓國 DRAM 巨頭 Samsung 及 SK-Hynix 涉嫌遭受中國公司竊取 DRAM 研發的先進技術，該中國公司試圖侵犯 Samsung 及 SK-Hynix 的專利，企圖藉此獲取先進的技術知識。

“韓國時報” 獲得內部人士的消息，表示 Samsung 及 SK-Hynix 已成為中國儲存晶片製造商的工業間諜目標，並企圖竊取兩大韓國 DRAM 巨頭的重要研發技術及知識產權。在半導體領域，專利對公司的成本結構由關重要，因此必須保護他們花費數十年建設的專利成果。

目前發展 DRAM 的三大廠分別是韓國的 Samsung、 SK-Hynix 和美國的 Micron，因為專利技術門檻高，三大廠死守技術。為了發展 DRAM 和 NAND Flash 技術，中國大陸更到台灣挖角人才，早前紫光集團更因為以 3-5 倍的薪資挖角 10 位台灣高級工程師，陷入竊取商業機密的嫌疑，紫光也針對這個事件發表聲明。

為了保持在高性能運算領域的領先地位，Samsung 最新宣佈將會 ARM 合作將拓展 7/5nm FinFET 工藝技術，基於 7nm LPP 工藝下構建 ARM Cortex-A76 晶片組，預計 CPU 時脈速度超過3 GHz +，未來亦會轉向 5nm LPE 工藝。

Samsung的7LPP工藝技術將在2018年下半年初步生產，第一款 EUV 極紫外光刻工藝技術及其關鍵IP正在開發中，預計將於2019年上半年完成。由於7LPP工藝技術的創新，Samsung 的5LPE技術將實現更大的面積擴展及超低功耗優勢。

ARM稱，7nm 的 Cortex-A76時脈速度超過3 GHz +，比10nm Cortex-A75 只有 2.8GHz 提升 35% 的速度，電力使用量可下降多達 40%。ARM 將 Cortex-A76 稱為“筆記本級” 處理器，可用於更強大的設備，而不僅僅是手機之上。

Samsung 最新宣佈推出新一代小外形 NGSFF NVMe SSD ，新型的 8TB NVMe NF1 SSD 針對下一代數據中心和企業伺服器系統而設，並特別為數據密集型分析及虛擬化應用進行了優化，預計可提高數據中心的效率。

Samsung 全新 8TB NVMe NF1 SSD 採用 16 顆 Samsung 512-GB NAND 封裝，每顆都堆疊在 16 層 256 Gb 3-bit V-NAND 晶片上，實現了 8TB 容量、並以 11cm x 3.05cm 超小的尺寸設計，相比起以往用於超大型伺服器及超薄筆記本電腦常用的 M.2 NVMe SSD 提供多兩倍的容量，NF1 SSD 有望取代傳統的2.5吋NVMe SSD，為現有伺服器基礎架構系統提高三倍密度，從而在最新的 2U 機架伺服器中實現了前所未有的 576TB 容量儲存空間。

NF1 SSD 採用全新的高性能控制器，支援 NVMe 1.3 及 PCIe 4.0 接口，可實現 3,100 MB/s 的連續讀取速度和 2,000MB/s 的寫入速度，這些速度分別是典型 SATA SSD 的五倍和三倍，隨機讀取速度為 500,000 IOPS、寫入為50,000IOPS，利用新的 NF1 儲存解決方案，企業伺服器系統可以在2U機架空間內執行超過 100 萬 IOPS，該 SSD 還包括一個 12GB LPDDR4 DRAM，以實現更快、更節能的數據處理。

不僅是桌面級電腦，現在連手機及平板都需要 GPU 繪圖晶片去應付「手機遊戲」及提升系統的運算效率，繼 Apple 在去年宣佈研發自家 GPU 晶片後，最新有消息指其最大競爭對手 Samsung 亦將可能仿效，並正在尋找 Qualcomm、AMD 及 NVIDIA 的人才，將組建一支新的 GPU 團隊，為其 Galaxy 手機和其他設備設計內部 GPU。

儘管 Samsung 在北美的設備已經使用 Snapdragon 處理器多年，但該公司還開發了用於國際型號的 Exynos 處理器，至於在圖形方面 Samsung 仍然在所有的手機和平板電腦中使用 ARM 的 “Mali” GPU 系列。

根據 LinkedIn 上的招聘訊息顯示，Samsung 正在招聘大量圖形晶片工程師去研發自家的 GPU，隨著需要為手機、平板電腦等大量產品的 Graphics IP 以及在汽車、機器學習和人工智能等市場上的拓展，Samsung 需要發展自己的 GPU 亦並不意外。

Samsung 最新宣佈將會開始批量生產 16Gb 單晶片 64GB 的 DDR4 記憶體解決方案的模組，屬於雙列直插式 RDIMM 記憶體，主要用於企業及雲端伺服器應用，配合大型數據中心的高速移動、物聯網、深度學習、人工智能等技術，Samsung 將與其他領先企業如 HPE 及 AMD 一起提供更快、更密集、更具可擴展性的集成解決方案。

截至目前，由於 8Gb 記憶體晶片的容量限制，目前最大的 RDIMM 只能達到 32GB 容量，若果需要提升系統的配置，成本將會更高，並需要在額外的性能及兼容性之間作出平衡，隨著 Samsung 最新的 64GB RDIMM 記憶體推出將可解決以上問題，採用 16Gb 單晶片 DDR4 模組，三星可以生產更高容量的 “單片” 雙列 DIMM，並達成 DDR4-2666 RDIMM 記憶體。

Samsung 基於16Gb 的 64GB RDIMM 是首款 JEDEC 標準配置中提供高容量、高性能和低功耗，Samsung 16Gb 單晶片 64GB RDIMM 的性能比 8Gb 單晶片的性能提高了一倍、密度高達兩倍，速度高達 2666MT/s。此外，與 2 x 32GB RDIMM 相比，它的功耗降低了 19%。