受到全球帶動的掘礦熱潮，高階繪圖卡的炒價越升越高，「礦工」們都積極尋找不同的方案希望可以減省成本，Samsung 創新實驗室近日展示了一台全新的掘礦機器，利用 40 台 Galaxy S5 行動裝置架建而成，並聲稱 8 台 S5 手機可以超越目前市面上一般的台式電腦挖礦機。

據了解，Samsung Creative Lab 創新實驗室推出一項全新的「Upcycling」計劃，旨在利用舊的智能手機或平板作為基礎，再加入新的創意及理念將其變成「新產品」，令到即使已被淘汰的行動裝置亦可以轉為更實用的新應用設備。

當中，Samsung 研發了一台名為「 Bitcoin Miner Cluster 」的設備，共組合了 40 台 Galaxy S5 智能手機，並將「Bitcoin Miner Cluster 」與一般的台式電腦挖礦機作出比較，對比一台使用 i7-2600 處理器的掘礦平台，在整體用電方面，S5 與 i7-2600 處理器電力損耗分別為 5W 及95W，明顯用電量較低，在 Power Efficiency 方面 S5 手機同樣較處理器有優勢，但在 Hash Rate 挖礦算力則未能及得上台式處理器。

近日，在 SATA-IO 串行總線國際組織的數據庫中出現了一款 Samsung 全新的 SSD 產品「 860EVO 」，消息指「 860EVO 」為一款 Samsung 自家最新的 2.5” SSD ，面向主流級固態硬碟市場，採用 SATA3 介面連接，最高容量為 4TB ，並有機會搭載 Samsung 最新研發的 QLC NAND FLASH 。

據了解， Samsung 「 860EVO 」 SSD 採用 2.5” 設計、 7mm 厚度，性能方面在 SATA-IO 資料中未有顯示太多，只知道將備有 250GB 、 500GB 、 1TB 、 2TB 及 4TB 容量，型號分別是 MZ7LH250**** 、 MZ7LH500**** 、 MZ7LH1T0**** 、 MZ7LH2T0**** 、 MZ7LH4T0**** ，支援 NCQ 、 ASR 、 SSP 、 IPMh 等技術，同時，消息稱 860EVO 或會搭載 Samsung 最新的 QLC NAND FLASH ，並利用 Samsung 自家研發的主控制器提供數據及資料保安。

同時間， Samsung 兩款 NVMe SSD 產品 970 以及 980 系列亦已準備就緒，全新 970 及 980 系列針對高階消費級市場，採用 Samsung Polaris 2 控制器及最新 3D NAND FLASH 。效能方面， 512GB 型號的讀取速度為 3000 MB/s 、寫入為 1800 MB/s ，擁有 270K IOPS Read 及 420K IOPS Write ，至於 1TB 型號則擁有高達 3200 MB/s 讀取、高達 2400MB/s 寫入速度，隨機性能則為 380K IOPS Read 及 440K IOPS Write 。

Samsung Electronics 在今日宣佈將會推出首款為汽車而設的 eUFS 嵌入式通用快閃記憶體儲存解決方案，將提供 64GB 及 128GB 兩款容量版本，最高讀取速度可達 850MB/s 、 45,000 IOPS ，並會用作優化高級駕駛輔助系統、娛樂信息及汽車儀表板系統之中。

自 2015 年初 Samsung 首次將 128GB eUFS 用於旗艦手機之中，同年 Samsung 亦組建了一個自家的汽車團隊，為汽車製造商提供組件，包括顯示器、電池、記憶體等等。在去年二月 Samsung 再推出 256GB 版本 eUFS ，希望用作替代中端手機中的 eMMC 。

Samsung 全新 eUFS 嵌入式通用快閃記憶體專為高級駕駛員輔助系統 ( ADAS ) 、汽車儀表板系統及信息娛樂系統的應用而設計，可為司機與乘客提供廣泛的連接功能。

Samsung 在今日向外公佈了一張新宣傳海報，透露即將於 8 月 23 日在美國紐約召開 Unpacked 新品發佈會，宣傳海報中展示了一款手機及一支藍色的 S Pen 手寫筆，相信屆時將向全球發佈「 Note 8 」旗艦級手機新品。

在全新的宣傳海報中 Samsung 以「 Do bigger things – 大有可為」為號召，暗示下一代產品將會較現有的產品更勝一籌，傳消息指， Galaxy Note 8 將配備與 Galaxy S8 及 Galaxy S8+ 相同的超窄邊框設計、圓潤的邊角及 1200 萬像素的雙鏡頭組合，但屏幕部份則會增大至 6.3 寸。

其它方面， Galaxy Note 8 有望配備 Bixby 語音助理、 6GB RAM 、升級版 S Pen 手寫筆、虹膜掃描、以及後置指紋傳感器，並內建 Qualcomm Snapdragon 835 處理器。

Samsung 在 18 日宣布為了滿足不同領域的市場需求，包括 AI 人工智能、 HPC 高性能運算、高圖像處理、網絡系統、企業伺服器等，積極提高 8GB HBM2 晶片的產能， HBM2 記憶體提供 256GB/s 的數據傳輸，是目前最快的 DRAM 晶片，並正使用於 AMD 及 Nvidia 的高端繪圖卡之中。

其實， Samsung 並非唯一一家製造 HBM2 晶片的公司，對手 SK Hynix 亦有生產 HBM2 晶片， Samsung 則強調，其生產的 8GB HBM2 晶片在業界提供最佳的能源效率、性能及可靠度， Samsung 8GB HBM2 記憶體是由 8 顆 8Gb Die 封裝組成，並在底部設置了一個緩衝 Die ，整個封裝具有超過 40,000 個 TSV(Through Silicon Via) 矽穿孔，並以 Microbump 技術垂直串聯，不僅能夠提高數據傳輸性能，同時不會出現過熱的情況。

據了解， NVIDIA 為 Samsung 其中一個使用 HBM2 繪圖記憶體的廠商，旗下推出的 Tesla P100 、 Quadro GP100 等型號均搭載 16GB HBM2 。 AMD 同樣亦有在 Radeon Instinct MI25 、 Radeon Vega Frontier Edition 用上 16GB HBM2 ，至於在快將推出的 Radeon RX Vega 同樣亦會內建 HBM2 ，但使用的產品則來自 SK Hynix 。