金融資訊服務公司FnGuide最新的數據調查顯示，Samsung 受惠於表現強勁的晶片業務，今年第四季度業績有望創紀錄，並預計Samsung 在10月至 12 月的營業利潤將達 16.3 萬億韓元（約合149億美元），比去年同期增長了77.2%。遠遠高於 Samsung 前一季度 14.5 萬億韓元的營業利潤。

Samsung今年第三季度的運營利潤達到創公司記錄的14.53萬億韓元（約合128億美元），較去年同期的 5.2 萬億韓元增長 179%，亦意味著 Samsung今年第四季度的運營利潤將再創歷史新高。

韓國本土券商預計，Samsung 今年的營收有望達到 240 萬億韓元，運營利潤將超過55萬億韓元。分析師還預計，受益於晶片業務持續增長的推動，Samsung 明年的運營利潤將有望達到 70 萬億韓元。

Samsung 最新宣佈已經開始批量生產業內首款 512GB eUFS 解決方案，以用於下一代移動設備，採用 Samsung 最新的 64 層 512-Gigabit V-NAND 晶片，為即將推出的旗艦智能手機及平板電腦提供新的 512GB eUFS 封裝 。

Samsung 全新 512GB eUFS 解決方案由 8 片主控制器封裝而成，使用 Samsung 64 層 512Gb V-NAND 晶片，是以往 48 層 V-NAND 256GB eUFS 的兩倍，全新的高容量 eUFS 可讓旗艦型智能手機能夠存儲大約 130 段 10 分鐘的 4K Ultra HD ( 3840 x 2160 ) 視頻影片，而 64GB eUFS 只能存儲大約 13 部出高十倍之多。

性能方面，Samsung 官方資料顯示 512GB eUFS 的連續讀取最高可達 860MB/s、寫入 255MB/s，隨機讀取為 42,000IOPS、寫入 40,000 IOPS，能夠在 6 秒內將 5GB 的全高清視頻片段傳輸到 SSD，速度比典型的 microSD 卡提高了 8 倍，讓用戶可以享受無縫的多媒體體驗，更有奕地進行高解析度連拍、文件及視頻下載雙應用程式搜索模式等。

Samsung 在日前正式宣佈其代工業務已經開始大批量生產基於第二代 10nm FinFET 工藝成功由「10LPE」過渡 「10LPP」技術的系統 SoC 產品「10LPP」，「10LPP」與第一代 10nm 工藝技術「10LPE」相比，可提高 10% 性能及降低 15% 功耗，最新位於韓國華城市的「S3」晶圓廠亦將會加速生產 10nm 以及下一代的 7nm 工藝產品。

由於全新的 10nm「10LPP」工藝是源自第一代「10LPE」技術，可大幅縮短由開發到批量生產的所需時間，並擁有更顯著的初始製造良率，從優化了新產品的生產過程。通過從「10LPE」向「10LPP」的過渡，Samsung 將能夠更好地為客戶提供更高性能的產品，為公司帶來更具優勢的產品競爭力。

Samsung 表示，採用「10LPP」工藝技術設計的 SoC 將用於計劃於明年年初推出的數字設備，並預計將在全年範圍內獲得更廣泛的應用。Samsung 還宣佈，位於韓國華城市的最新生產線「S3」正準備加速生產 10nm 及以下工藝技術，「S3」生產線是 Samsung 代工業務的第三家晶圓廠，另外還有繼位於韓國 Giheung的「S1」晶圓廠和位於美國奧斯汀的「S2」晶圓廠，Samsung 下一代 7nm FinFET 工藝技術與 EUV（Extreme Ultra Violet）亦將會在「S3」晶圓廠大量生產。

Samsung Electronics 三星電子預告將會在明年 CES 2018 展示基於 Micro-LED 技術的電視機，將會是一款配備 4K 超高清解像度的 150" Micro-LED 電視原型，Micro-LED 被認為是下一代顯示技術，全新陣容能夠為 Samsung 在顯示技術方面提高競爭力，同時瞄準頂級高端電視市場。

據了解，Samsung 希望能夠將 Micro-LED 技術的電視機引入到家庭影院，目前這種技術已應用在電影院中，Micro-LED 面板用上固態 LED 元件蝕刻在 Silicon Substrate 之上，其尺寸小於 100 微米 (μm)，每顆 LED 晶片可做為一個畫素，它可以透過 RGB 三基色自發光顯示像素的單個晶片來實現，Micro-LED 將會成為 LCD 及 OLED 的下一代顯示技術，其體積更小、重量更輕， 隨著此技術的進一步發展，Micro-LED 面板將實現更高的像素密度，並且不會有著 OLED 長時間使用所出現的 “老化”殘影問題，亦擁有比 OLED 更低的功耗。

Intel 近期動靜多多，除了大家非常關注的新處理器及晶片之外，Intel 亦針對儲存裝置產品與 Micron 研發了全新的 3D Xpoint，當中的 Optane SSD 更號稱理論讀寫速度及壽命都是普通 SSD 的千倍，作為 NAND Flash 晶片的龍頭大廠 Samsung 就推出了 Z-NAND 技術予以還撃，發佈全新 SZ985 Z-NAND SSD 產品，並將會以比對手 Optane P4800X SSD 更低的價格出售。

Samsung 全新 SZ985 是首款基於 Samsung Z-NAND 技術的 SSD 產品 ，提供了一個獨特的電路設計及控制器，相比起現時的 NVMe SSD 延遲降低了 5.5 倍，備有 800GB 容量選擇，採用 HHHL Form Factor、PCIe Gen3 x4 介面，官方資料顯示其連續讀寫速度可達 3.2 GB/s Write 及 3.2 GB/s Read，隨機讀寫速度則可達 750K IOPs / 170K IOPs。

外媒 Tom’s Hardware 就以 Intel Optane SSD 及 Samusng SZ985 兩者作比較，在速度方面，Samusng SZ985 SSD 明顯在連續讀寫及隨機讀寫方面擁有更高效能，但在讀寫指令 Random Read 及 Random Write Latency 方面，Optane SSD 均為10μs、Samusng SZ985 則為 20 /16μs，兩者相較一般 NVMe SSD 介乎 110-120μs 之間均有優勢。