Samsung 官方正式宣佈已開始大規模生產業內首款 32GB DDR4 記憶體，適用於小型雙列直插式 SoDIMM 記憶體模塊的遊戲筆記本電腦，新的 SoDIMM 基於 10nm 工藝製造，提供更大的容量、更高的速度和更低的能耗，為 PC 級遊戲電腦帶來更快速的處理能力。

Samsung 全新 32GB DDR4 記憶體採用 10nm 級別工藝製造，是一款全新的記憶體解決方案，可讓個人電腦製造商可以構建更快速度的遊戲筆記本電腦，其電池續航時間更長，超越傳統移動工作站，同時維持現有的個人電腦配置。Samsung 表示，與 2014 年推出的基於 20nm 8Gb DDR4 的 Samsung 16GB SoDIMM 相比，新款 32GB 模塊的容量提升了一倍，並提高了 11% 的速度及 39% 的運作效能。

Samsung 最新的 16GB 千兆位（Gb）DDR4 DRAM 晶片 ( 前後各安裝 8 顆晶片 ) 共有 16顆，32GB 容量的 SoDIMM 記憶體可讓遊戲筆記本電腦的速度達到 2,666 Mbps，在同時配置兩組 32GB DDR4 記憶體模組的 64GB 筆記本電腦，在主動模式下功耗不到4.6W，閒置時功耗低於 1.4W。Samsung 補充說，與目前配備 16GB 模組的遊戲筆記本電腦相比，這分別將功耗降低了 39% 及 25% 以上。

日前在位於 Santa Clara 的 2018年美國三星鑄造論壇（SFF）上，Samsung 公佈了旗下新技術流程的路線圖，除了重申計劃於今年晚些時候開始使用 7LPP 工藝技術及 EUVL 極紫外光刻技術生產晶片之外，同時亦提到 3nm 製造工藝的第一個細節。

Samsung 在晶片代工生產的主要競爭對手台積電已宣佈在今年第二季度開始批量生產 7nm，並會在明年開始大規模生產第二代 7nm 工藝技術的晶片，部分使用 EUV 投影，並會邁向 5nm 工藝 Risk Production 風險生產，預計將於 2020 年開始量產 5nm，再一步的 3nm 標准則大概會於 2022 年推出。

至於 Samsung 方面，大規模生產 7nm 將在今年下半年開始，實際上落後於台積電兩三、個季度，然而 Samsung 將會用上 7nm 的低功耗 7LPP 及採用 EUVL 極紫外光刻技術，並將立即開始製作第二代 7nm 的產品，意味著 Samsung 將成為第一間採用 EUV 技術 ( 13.5 nm )，在 SFF2018 會議上 Samsung 確認啟動 7LPP 工藝技術的計劃和進度保持不變。同時，Samsung 還指出將為第三方廠商全面開發 7nm 產品的 IP 塊，將在 2019 年上半年投入使用。

Samsung 在旗下的電視產品上不斷發展，除了推出曲面設計的顯示屏之外，下一個計劃可能會推出採用 Round Edges 圓角邊框設計的電視機，Samsung 最新就取得了一項「圓角屏幕」的電視專利，將現在用於手機上的「圓角屏幕」技術帶到電視屏幕之上，用作提升電視的外在觀感。

「圓角屏幕」近年開始在電子行業中出現，特別是智能手機類別的消費電子產品。至於電視屏幕亦不斷發展，不僅在圖像質量、大小尺寸設計、甚至是越趨纖薄的面板等等，外觀的改變更具時尚感，同時曲面設計的電視亦開始在市場上出現，作為電視的潮流引領者的 Samsung， 即將會把「圓角屏幕」的電視帶到日常生活之中。

Samsung 在 2017 年 10 月 12 日於 World Intellectual Property Organization 世界智慧財產權組織申請了一項「圓角屏幕」的電視顯示設備專利，並在 2018 年 5 月 3 日獲得批准，該項新的專利詳細描述了「圓角屏幕」技術的電視顯示屏設計，並能夠用在 OLED 及 LCD 技術面板中。

Samsung 900 系列 SSD 的性能和可靠性超卓領先其他競爭對手，自推出以來吸引到不少用家購買，在 4 月份正式發佈新一代的 970 EVO 及 970 PRO SSD 產品並在明天正式在全球開售，在未正式上市官方就進一步調整官方售價，表明 970 PRO 將會較早前提供的價格下調 25%、970 EVO 價格下調 5-13%。

Samsung 全新的 970 PRO 及 970 EVO 採用 M.2 介面、PCIe Gen 3.0x4 接口 ，支援 NVMe 傳輸， 保證提供更快的傳輸數據速度，專業級的 970 PRO 擁有極快的性能，提供高達 2700 MB/s 的連續寫入及 3500 MB/s 連續讀取速度，至於 970 EVO 將提供 3500 MB/s 的連續讀取和 2500 MB/s 的連續寫入速度。

970 PRO 及 970 EVO 同樣採用了 Samsung 最新的 V-NAND 技術和全新的 Phoenix 控制器，連續寫入速度相比起上代提升高達 30%，憑藉先進的 Samsung 智能 TurboWrite 技術，使用增加緩存 NAND Flash 的容量，進一步提高了寫入的速度。

Hagens Berman 律師事務所已向美國加利福尼亞州北部地區法院向 Samsung、Micron 及 Hynix 提出集體訴訟，根據該公司的調查，三家 DRAM 製造商共謀限制 2016 年至 2017 年 DRAM 晶片的供應，目的是抬高價格。該公司確認，DRAM 在 2017 年的價格上漲了47%，這是過去30年來有史以來最大的漲幅。

據了解，截至2017年Samsung、Micron及 Hynix集體擁有96% 的全球DRAM市場，Hagens Berman的訴訟提到，三家公司互相勾結，在2016年同意限制DRAM供應，以提高價格，這導致“DRAM價格上漲”，DDR4記憶體套件的售價是18-24個月前的兩倍（或更多），讓Samsung、Micron及 Hynix營收成長逾1倍。

此次的「固定價格方式」的集體訴訟是由在 2016 年 7 月 1 日至 2018 年 2 月 1 日購買並使用 DRAM 記憶體設備的所有美國消費者，包括Acer、Apple、Asus、Dell、Lenovo、HP、Samsung 等等公司出售的筆記本電腦和台式機，同時智能手機及平板亦包括在內。