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KIOXIA 宣佈研發 HLC NAND 顆粒 儲存密度比 QLC 高 50%  PE 不到 100 次
KIOXIA (前身為 TOSHIBA) 宣佈正投入研發 HLC NAND Flash 顆粒,相較現時的 QLC NAND Flash 顆粒,其存儲密度將提升 50%,同時堆疊層數亦會提升至 600~1000 層,雖然預估量產後 PE 壽命將不到 100 次,但由於存儲容量會相當誇張,這意味著很久才會寫滿一次 SSD。

隨著 NAND Flash 的演進,現在 SLC、MLC 顆粒已基本上消失在家用 SSD 產品中,目前是由 TLC 與 QLC 為主流,並且開始向著 PLC 前進,所謂的 PLC 就是每 Cell 存儲 5 bits,要儲存更多的資料就需要更多的電壓層級。<詳見文>
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