在最新 Micron、Intel 、Toshiba、WD 等廠商都先後公佈成功研發 QLC NAND 及 96 層堆棧 3D NAND 產品的消息，作為全球第一大 NAND 供應商的 Samsung 在早前在日本舉行的「Samsung SSD Forum 2018 Tokyo」大會上宣佈已正式量產高達 90 堆疊層數的第 5 代 V-NAND，每個晶片的容量達到1Tbit，同時將會在今年內推出 32TB 容量的TLC NAND SSD。

「Samsung SSD Forum 2018 Tokyo」大會 Samsung 介紹了旗下開發的 3D NAND“V-NAND” 發展趨勢，在去年已大量生產採用 64 層堆疊的第四代 V-NAND，而接替第 5 代 V-NAND 亦已批量生產，全新第五代 V-NAND 在密度進一步增加，由 64 層提升至 96 層， Samsung 強調新晶片減少晶圓上的物理 X、Y 尺寸，並擁有更高功率及性能。同時，首次使用了Toggle DDR 4.0接口，能夠提供高達 1.4Gbps 的數據傳輸速度，比上代 64 層堆疊提升了 40%。

同時，Samsung 亦提到已首發核心容量達 1-Tbit 的 3D-NAND 晶片，Samsung 1-Tbit NAND 可支援高達每秒 1.2Gbits 的資料速率，並在一個堆疊 32 顆裸晶的封裝中支援高達 4Tb 容量。

Samsung 近年積極擴展旗下的顯示器產品線，為了締造更極致逼真的視覺效果，在去年帶來了創新的 49 吋 super ultra-wide 32:9 顯示器「CHG90」，最新再推出了另一款 43 吋的曲面顯示器「C43J89」，擁有 32:10 比例、曲率為1800R，具體售價約為999美元，相比「CHG90」更便宜。

Samsung 全新「C43J89」超寬曲面屏顯示器採用了 43 吋 VA 面板，比例為32：10，屏幕解像度為 3840 x 1200，1800R曲率弧度，更新率達到了120Hz、5ms反應時間，支援8位色，典型亮度為亮250cd/m2（非最高亮度） ，靜態對比對3000：1，可視角度為 178 度，並支援 Samsung Eye-Saver、無閃爍等技術。

「C43J89」屏幕大小與兩組比例為16：10 的 24 吋顯示器相同，同時顯示器的像素點距為 0.27mm，適合文字工作者使用，另外「C43J89」顯示器可以同時連接 2 台主機或者設備。擴充能力方面，「C43J89」顯示器提供了一組HDMI 2.0、一組 DisplayPort 1.2、兩個Type-C、三組USB 3.0及一個 3.5mm 耳機輸入孔。

Samsung 在最新宣佈已成功開發出業界首款 10nm Class 8Gb LPDDR5 DRAM，新開發的 8Gb LPDDR5是 Samsung 優質 DRAM 陣容的最新成員，該陣容包括了自 2017 年 12 月開始批量生產的 10nm 級16Gb GDDR6 DRAM 及今年 2 月開發的 16Gb DDR5 DRAM，全新8Gb LPDDR5的開發代表了Samsung低功耗移動儲存器解決方案成功向前邁進一步。

隨著在全球優質記憶體的需求不斷增長，Samsung 將繼續擴展下一代 10nm 級 DRAM 陣容。自 2014 年第一款 8Gb LPDDR4 投入量產以來，Samsung 已開始轉向 LPDDR5 標準，用於即將推出的 5G 和 AI 人工智能移動應用。

據 Samsung 指出，8Gb LPDDR5 的數據速率高達 6,400 Mb/s，是現有旗艦移動設備 LPDDR4X 晶片、4266Mb/s 速率的 1.5 倍。隨著傳輸速率的提高，新的 LPDDR5 可以在一秒鐘內發送 51.2 GB 的數據，或大約 14 個全高清視頻檔案 ( 每個3.7GB )。

NAND Flash 及 DRAM 市場在去年雙雙出現齊旺的現像，Samsung、SK Hynix 及 Micron 三家大廠「賺到開巷」，然而在 2018 年 NAND Flash 及 DRAM 在價格出現分歧走勢，受到傳統淡季衝擊及 64/72 層 3D NAND 產能穩定擴張影響，NAND Flash 產品合約價已連續兩季下跌，可惜的是 DRAM 價格依舊未有出現下跌的跡象，當中佔據 DRAM 市場最大比重的 Samsung ，竟然被爆出通過控制記憶體產能延緩或者防止記憶體降價。

Samsung、SK Hynix 及 Micron 三大廠在 NAND Flash 及 DRAM 近乎佔了全球 95% 的產能，Samsung 的市場份額更維持在 45-50% ，因此在 2017 年 Samsung 的業績瘋漲不停，晶片業務為其帶來了最大的貢獻，DRAM 價格持續上漲更為 Samsung 帶來了更大的利潤。

面對記憶體產品的缺貨以及 DRAM 晶片的高需求，Samsung 為了加速 18nm 產品的出貨速度，強行縮短了部分流程，早前更有消息傳出 Samsung 18nm 記憶體模組產品存在瑕疵和隱患，需要召回用於 18nm DRAM 晶片生產的記憶體。

為了提供更快的據傳輸速度，Samsung 最新宣佈已開始批量生產第五代 V-NAND 記憶體晶片，全新第五代 V-NAND 採用 96 層堆疊設計，單 Die 容量為 256Gb，在使用“Toggle DDR 4.0” 接口時， Samsung 全新 256 Gb 在儲存及記憶體傳輸數據的速度最高可達到 1.4 Gbps，相較 64 層 NAND Flash 增加了 40%，並可實現更低的功耗及大幅減少寫入延遲。

Samsung 全新第五代 V-NAND 在密度進一步增加，由 64 層提升至 96 層， Samsung 強調新晶片減少晶圓上的物理 X、Y 尺寸，並擁有更高功率及性能。同時，首次使用了Toggle DDR 4.0接口，能夠提供高達 1.4Gbps 的數據傳輸速度，比上代 64 層堆疊提升了 40%。

全新 V-NAND 相較 64 層 NAND Flash 在性能上有所增強，主要是因為工作電壓已從 1.8V 降至 1.2V，同時新的 V-NAND 是迄今為止的數據寫入速度最快，達到 500 μs，比上一代寫入速度提高了約 30%，而對讀取訊號的反應時間則顯著減少到50μs，新的工作電壓應有助於延長筆記本電腦的電池壽命，並降低從 Desktop 及數據中心系統的整體功耗。