Samsung 最新宣佈已經開始批量生產用於汽車的 10nm 級 16Gb LPDDR4X DRAM，最新的 LPDDR4X DRAM 具有高性能及高效能的特性，同時顯著提高需要在極端環境下工作的汽車應用的耐熱水平，10nm 級別的 DRAM 也將使業界最快的汽車 DRAM-based LPDDR4X 接口達到最高密度。

Samsung 記憶體營銷高級副總裁 Sewon Chun 表示：“16Gb LPDDR4X DRAM 是我們最先進的汽車解決方案，為全球汽車製造商提供出色的可靠性、耐用性、速度、容量及能源效率。Samsung 將繼續與開發各種汽車系統的製造商密切合作，在任何地方提供優質的存儲解決方案。”

Samsung 16Gb LPDDR4X 超越了 20nm ‘Automotive Grade 2’ DRAM，能夠承受 -40°C 至 105°C 的溫度，並且符合 Automotive Grade 1 標準，將高端門檻提升至125°C，不僅滿足全球汽車製造商嚴格在系統熱循環測試，16Gb LPDDR4X在世界上許多具挑戰性的環境中增強了其各種汽車應用的可靠性。

Samsung 900 系列 SSD 一直有著高速的讀寫性能，在 2016 年 9 月推出 960 PRO 當時刷新了世界最快 2.1GB/s 的寫入速度，Samsung 今日在內地就發佈了新一代的 970 EVO 及 970 PRO SSD 產品，970 EVO 備有 250GB、500GB、1TB 及 2TB 三種容量，而 970 PRO 則提供 512GB 和 1TB 兩種容量。

Samsung 全新的 970 PRO 及 970 EVO 採用 M.2 介面、PCIe Gen 3.0x4 接口 ，支援 NVMe 傳輸， 保證提供更快的傳輸數據速度，專業級的 970 PRO 擁有極快的性能，提供高達 2700 MB/s 的連續寫入及 3500 MB/s 連續讀取速度，至於 970 EVO 將提供 3500 MB/s 的連續讀取和 2500 MB/s 的連續寫入速度。

970 PRO 及 970 EVO 同樣採用了 Samsung 最新的 V-NAND 技術和全新的 Phoenix 控制器，連續寫入速度相比起上代提升高達 30%，憑藉先進的 Samsung 智能 TurboWrite 技術，使用增加緩存 NAND Flash 的容量，進一步提高了寫入的速度。

在 3 月份的時候 Microsoft 宣佈旗下推出的 Xbox One S 及 Xbox One X 遊戲機將可支援 AMD Freesync 技術，為了進一步提升遊戲的使用體驗，Samsung 最新在 Milan 技術大會上宣佈在 2018 年將會發佈可支援 HDMI 2.1、Freesync及VRR 技術的 QLED 液晶電視，全新的 2018 QLED 液晶電視型號以及中檔的 NU8000 系列，將可支援高達 120Hz 的更新率及 Full HD 全高清解像度，降低延遲讓遊戲畫面更流暢。

全新的 2018 “QLED” 液晶電視和中階的 NU8005 能夠支援全高清解像度及每秒 120Hz 的速度處理輸入訊號，這種組合有時被稱為“2K120Hz”，同時得益於 HDMI 2.1 技術，該電視將支援 Variable refresh rate technology (VRR) 可變更新率，並具備 AMD Freesync 技術。

對於 PC 用家來說應該對 AMD Freesync 技術不會陌生，FreeSync 技術應用於特定的 AMD APU 和 GPU，可解決處理器和顯示器之間的通訊問題，避免影像撕裂和斷斷續續之情形，輕鬆暢玩遊戲。

Samsung 最新在宣佈推出一款輕薄的筆記本電腦 Samsung Notebook Odyssey Z，採用最型酷的設計及先進熱管理技術製造，內建 Intel 第八代 Core i7 處理器，搭配 NVIDIA GeForce GTX 1060 繪圖卡、高達16GB (DDR4)記憶體、1TB SSD (NVMe PCIe)，15.6" Full HD (1920 x 1080) 顯示屏帶來無縫視覺效果，務求為玩家帶來嘆為觀止的遊戲體驗。

Samsung 全新 Notebook Odyssey Z 專為遊戲玩家而設，配備了精緻的鍵盤及Crater Keycaps，可提供更高的精確度和舒適度，支援快捷鍵可記錄玩家常用的遊戲招式，並提供靜音模式選項，最低可以達到22分貝的低噪音。

Notebook Odyssey Z 借助 NVIDIA GeForce GTX 1060 Max-P 繪圖形卡，相比1060 Max-Q 可帶來高 10% 的繪圖處理能力，保證高解像度的視覺效果，另外還配備了第8代Intel Core i7處理器，採用6核心、12線程設計，同時內建了DDR4 2400 MHz記憶體，讓遊戲運行得更暢順。

面對中國開始在 SSD、記憶體晶片續步追近，雖然 Samsung 表明了短期內依然有一段距離，但其實 Samsung 亦已作好準備防止對手追上，最好的防範就是加大投資，盡可能加強自家的研發創新技術，與對手拉開距離。

Samsung 官方最新消息稱，他們本週在中國西安舉行了第二條 NAND Flash 晶片生產線的奠基儀式，而整個工廠的擴建工作要到 2019 年結束。去年 8 月底，Samsung 宣布與陝西省政府達成合作協議，將擴大西安高新區工廠的 NAND Flash 產能，新建二期項目，未來三年投資 70 億美元。