韓媒斥中國涉竊取 Samsung、SK-Hynix 專利
全球半導體專利戰不斷升溫,在昨日才剛剛報導 Micron 在中國侵權訴訟敗訴,最新由“韓國時報”的報導指出,韓國 DRAM 巨頭 Samsung 及 SK-Hynix 涉嫌遭受中國公司竊取 DRAM 研發的先進技術,該中國公司試圖侵犯 Samsung 及 SK-Hynix 的專利,企圖藉此獲取先進的技術知識。
“韓國時報” 獲得內部人士的消息,表示 Samsung 及 SK-Hynix 已成為中國儲存晶片製造商的工業間諜目標,並企圖竊取兩大韓國 DRAM 巨頭的重要研發技術及知識產權。在半導體領域,專利對公司的成本結構由關重要,因此必須保護他們花費數十年建設的專利成果。
目前發展 DRAM 的三大廠分別是韓國的 Samsung、 SK-Hynix 和美國的 Micron,因為專利技術門檻高,三大廠死守技術。為了發展 DRAM 和 NAND Flash 技術,中國大陸更到台灣挖角人才,早前紫光集團更因為以 3-5 倍的薪資挖角 10 位台灣高級工程師,陷入竊取商業機密的嫌疑,紫光也針對這個事件發表聲明。
記憶體晶片對 2025 計劃尤為重要,隨著雲端運算、5G 無線技術、IoT物聯網、人工智能、自動駕駛甚至區塊鏈的增長,記憶體晶片的重要性將進一步提高。中國近年積極拓展自己的 DRAM 及 NAND Flash 技術,然而不少的中國公司發現,DRAM 和 NAND Flash 製造工藝的發展比他們想像的困難得多,發展 DRAM 的廠商試產報告不達預期,甚至出現良率過低的情況,加上 DRAM 廠還有技術與專利的問題,中國要得到韓系廠商直接授權很難,若沒有原廠授權,又不能竊取商業機密,將不能生產 DRAM。
目前,仍不確定中國政府是否對支持「專利盜竊」,但 Samsung 、SK-Hynix、Micron 三大 DRAM 晶片供應商均遭到中共監管部門的反壟斷審查,中國政府聲稱記憶體晶片價格持續上漲是不合理的市場狀態,有明顯的操控跡象,並面臨大額的罰款。