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Samsung 斥資 30 萬億韓元建新工廠 DRAM 記憶體晶片價格有望下降
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Samsung 電子確認,正在韓國京畿道平澤市興建一座新的半導體工廠,可根據市場需求生產記憶體、NAND Flash 等各種存儲晶片。Samsung 目前在平澤市已有一座大型工廠,2017 年年中開始量產 64 層堆疊 NAND Flash 顆粒,也可以用來生產 DRAM 記憶體顆粒。工廠初步投資 15.6 萬億韓元,預計到 2021 年總投資可達 30 萬億韓元,

新工廠暫時名為 P2 Project,距離舊工廠不遠,報導稱投資額達 30 萬億韓元,但暫不清楚是初步投資還是總投資。考慮到新工廠剛剛開工建設,1 月份才開始鋪設燃氣管道​​,後續肯定還會有追加投資。

新工廠也同時具備記憶體、NAND Flash 生產能力,但是 Samsung 尚未決定具體先做哪一個,肯定是要看後續市場需求,比如原有工廠最初就打算生產 NAND Flash。
Samsung 與 Qualcomm 簽定十年合約 採用 Samsung 7nm EUV 工藝打造 5G 移動晶片
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Samsung 電子最新宣佈將在韓國 Hwaseong 建成了一條全新的 EUV(極紫外線)光刻工藝生產線,憑藉全新的 EUV 產品線,Samsung 將能夠通過滿足包括移動、伺服器、網絡及 HPC 高性能運算在內的各種的市場應用需求,加強其在單納米工藝技術方面的領先地位。

Samsung 預計新工廠將於 2019 年下半年竣工,並將於 2020 年開始投產,全新的 EUV 生產線的初始投資預計到 2020 年將達到 60 億美元,額外投資將取決於市場情況,Samsung 決定採用先進的 EUV 技術,從 7nm LPP(低功率 Plus)工藝開始。這條新生產線將配備 EUV 光刻設備,以克服納米級技術限制。同時,Samsung 將繼續投資於 EUV 研發,以支援全球客戶開發基於這一領先技術的下一代晶片。此外,Samsung 亦計劃將其長達十年的代工合作關係擴展至 EUV(極紫外)光刻工藝技術,包括製造未來的 Qualcomm Snapdragon 5G 移動晶片組將採用 Samsung 7nm LPP(低功率 Plus)EUV 工藝技術。

使用 7LPP EUV 工藝技術,Qualcomm Snapdragon 5G 移動晶片組將提供更小的晶片尺寸,為即將推出的產品中的 OEM 提供更多可用空間,以支援更大的電池及更薄的設計,工藝改進與更先進的晶片設計相結合,預計將顯著改善電池壽命。
中國政府或將與 Samsung 簽署協議 盡可能在 2018 年壓抑 DRAM 價格漲幅
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正如大家所見,DRAM 產品如繪圖卡記憶體、DDR4 記憶體等,在近兩年價格不斷飆升,在去年底,就有消息指中國國家發展和改革委員曾與 Samsung 約談,關注儲存晶片價格問題,DRAMeXchange 在日前報導,指出 Samsung 及中國政府將簽署“諒解備忘錄”,以保護 DRAM價格保持在可接受的範圍內。

中國政府在新的 一年宣佈調查之前對發改委進行的監管 ,國家發改委負責中國國務院的宏觀調控工作。由於製造晶片的許多東西基本上都是在中國製造的,同時亦是資源最缺乏的地方,因此更高的價格可能造成一個長期的對亞洲地區經濟的影響。

這就是國家發改委現在主動干預DRAM價格的原因,Samsung是大型的記憶體生產企業之一,因此發改委希望藉著與 Samsung 雙方簽署 MOU 諒解備忘錄,協議將涵蓋了更高的產量,並希望可以壓抑 DRAM 價格漲幅。
Samsung 正式確認 正在為加密貨幣挖掘製造 ASIC 晶片
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有消息指,Samsung 代表已確認公司正積極研發及製造加密貨幣的採礦晶片,引用“來自中國的一位匿名客戶”,他表示與 Samsung 簽署了一份加密硬幣採礦 ASIC 的巨額訂單,並將用於挖掘 Bitcoin 比特幣、Ether 以太幣和其他加密貨幣。

Samsung 的半導體業務正在蓬勃發展,最近更超越了 Intel 成為全球最大的晶片製造商,為了進一步擴大公司的業務發展,Samsung 看準了近年非常流行的採礦業,並積極研發及打造適用於 Cryptocurrency Mining 的處理器。

正如 TechCrunch 的報導,Samsung 已經確認正在製作專為採礦 Cryptocurrencies 像 Bitcoin 及 Ethereum 設計的晶片,這些晶片被稱為 ASIC 或專用集成電路,ASIC 是專為單個運算任務設計的處理器,與我們的 PC 電腦及行動電話中使用的多用途處理器相反。
採用 Z-NAND Flash、高達 800GB 容量 Samsung 推出 SZ985 Z-SSD 產品
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針對超級運算及 AI 分析等的高級企業儲存,Samsung 正式發佈了全新的 Z-SSD 產品,首款型號為“SZ985”,對標 Intel Optane Optane 技術。

在 Intel 發佈旗下自家 3D XPoint 技術後,Samsung 隨即宣佈推出 Z-NAND Flash 及 Z-SSD 固態硬盤,擁有更快的速度、更低的延遲值,聲稱性能可超越現有 NAND Flash 極限。

Intel Optane 是一種介於 DRAM 記憶體、NAND Flash 之間的非易失性儲存,Samsung Z-NAND 也有些類似,但具體架構和技術細節一直沒有公開,如今產品發佈了依然語焉不詳。
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