Samsung 在今年 10 月舉行的「Samsung Tech Day 2018」大會上公佈了最新 SSD 的路線圖，最關鍵之一就是透露了將會帶來首款消費級的 QLC SSD 的產品，當中的一款「860 QVO SSD」在歐洲幾間網上零售商就提前上架，備有最大 4TB 儲存容量，提供高達550 MB/s、520 MB/s 連續讀寫效能，預計將在12月份正式開賣。

Samsung 官方的介紹，QVO 代表著“ Quality and Value Optimized ”（質量和價值優化），意思即是高質量、低價格， QLC NAND 相比TLC NAND 在數據儲存密度增加了 33%，可以降低每單位容量的驅動器成本。

全新「860 QVO SSD」是一款標準 2.5 吋的 SATA III 硬碟，儲存容量備有1TB、2TB 及 4TB，速度方面，「860 QVO SSD」的連續讀寫最高可達 550 MB/s Read、520 MB/s Write，隨機讀寫最高可達 96,000 IOPS Read、89,000 IOPS Write，並擁有 1,440 TBW 寫入壽命。

在較早前 Intel 宣佈在消費級平台的全新第 9 代 Core處理器將升級支援 128GB 容量 DDR4 記憶體，打破以往僅能提供 64GB 記憶體容量的限制，對於伺服器平台來說 128GB 容量只是很小的一部份，Samsung 最新公佈即將為伺服器推出首款 256GB RDIMM 記憶體，並較現時的記憶體提供更高性能及更低功耗。

Samsung 表示將會進一步拓展記憶體核心業務，正開始出樣採用其 16-Gbit 晶片打造全新的 256GB RDIMM 記憶體，新的 DDR4 RAM 模組 RDIMM ( Registered DIMM ) 專為基於 AMD EPYC 系列處理器及 Intel Cascade Lake 核心的 Xeon Scalable 處理器伺服器而設，單條就可提供 256GB 容量，與1 28GB LRDIMM 相比，可提供更高的效率和效能。

Samsung 256GB RDIMM 記憶體採用 3DS 三維堆疊封裝，基於 10nm 16Gb DDR4 DRAM，並且由通過 TSV 接口（穿矽通孔）彼此連接的四層晶體管組成，在這種情況下，單晶片的容量為 8 GB（64 Gbits）每層16Gbit，可將記憶體的最大容量提高一倍。256GB RDIMM 雙面合共建入 36 顆晶片，每顆晶片提供 8GB 容量，內部封裝了四個 16Gb Die，由 IDT 4RCD0229K 晶片管理，並支援 ECC 記憶體技術。

智能手機或電視可能是 Samsung 最受歡迎的產品，但肯定不是 Samsung 最賺錢的產品，這家韓國電子巨頭已經公佈了今年第三季度的預估，受惠於強勁的 DRAM 收入，數據顯示 Samsung 打破了單季度利潤最高的紀錄，預計 2018 年第三季度的營業利潤將達到 17.5 萬億韓元，收入增長 4.8%。

根據 Samsung 最新公佈了 2018 年第三季度預估數據，營業利潤將達到 17.5 萬億韓元 ( 約 158 億美元 )，比去年同期增長 20%，收入也將達到創紀錄的 65 萬億韓元 ( 約 573 億美元 )，比去年增加近 5%。

雖然 Samsung 打破了單季度利潤最高的紀錄，然而收入並非靠智能手機業務，旗艦手機 Galaxy S9 及 Note 9 系列於 3 月 16 日上市後，雖然配備了更好的相機和改進的音效技術，但銷量沒有達到預期，盈利大幅下滑 30%。

DRAM 及 NAND 的價格在過去幾年間持續上漲，各主要供應商都渡過了一段豐收的黃金時代，在今年年初，Samsung 更樂觀地認為在 2018 年 DRAM 及 NAND 的 Bit growth 位元成長率增長將分別上升 20% 和 40%，然而 Samsung 預測看起來非常嚴峻，據 Bloomberg 最新發佈的一份報告顯示，由於預期需求下降，Samsung 正準備在 2019 年緩減其記憶體晶片的產量。

根據 Samsung 最新的預測，預計 DRAM Bit growth 位元成長率增長將低於預期不到 20%，而 NAND 的增長則為 30% ，為了避免投資者對潛在經濟衰退的擔憂，因此 Samsung 正準備緩減記憶體晶片生產限制供應，在需求放緩的情況下仍然可保持供應緊絀及維持價格在理想水平。

Bloomberg Intelligence 駐香港的分析師 Anthea Lai 表示，“如果 Samsung 確實削減其 DRAM 位元成長率增長率，那麼該公司對目前的寡頭壟斷市場結構感到滿意。” 他進一步闡述說：“Samsung 更傾向於保持供應緊張和價格高，而不是佔據市場份額並冒著降低價格的風險，因此 DRAM 價格保持強勁的可能性更高。”

早幾日才報導過記憶體儲存研究機構 DRAMeXchange 指 PC DRAM 將在年底開始降價，在另一邊廂就有半導體廠房意外發生，Samsung 位於首爾南方 Suwon 水原市的晶片工廠在本週二疑似洩漏二氧化碳，導致一名工人死亡、兩人受傷，Samsung 官方正在調查事故原因，暫時未公佈晶片工廠運作會否受影響。

據了解，本次事故在週二下午 3 點 40 分發生在 Samsung 位於首爾 Suwon 南方水源市的晶片工廠地下室， 設備洩漏的二氧化碳導致了事故的發生，當救援人員趕到現場時，一名 24 歲的姓李的工人被發現死亡，另外兩名年齡分別為 26 歲和 54 歲的工人已處於昏迷，並立即送住醫院救治療。

Samsung 表示，「相信死因是由於二氧化碳洩漏導致的窒息」，並已成立專門工作組對事故原因進行深入調查。消息指，三人同屬 Samsung 外部承包商的員工，事發前正在檢測工廠內氣體相關設施，懷疑因二氧化碳設備洩漏釀成意外。