Samsung B-Die 已被廣泛認為是一款優秀的高性能 DRAM 記憶體，由於由於有著高頻、低時序、吃電壓等幾大特性，普通一條的 DDR4-2133 記憶體，都可以輕易超上 DDR4-3200 甚至 DDR4-4000，深受不少超頻玩家的青睞。然而，Samsung 在 5 月份時已宣佈將 B die 停產，取而代之的就是用上 Samsung 1z nm（1z 級別）光刻工藝製造 A-Die 替代品。

隨著全球需要進行越來越多的數據處理及儲存容量，記憶體 DRAM 顆粒密度的增加變得越來越重要，Samsung 亦不得不調整公司的方向，由於容量所限 B-Die 顆粒已經進入了 EOL 狀態，並交由更密集的 M-Die 及 A-Die 產品去接替。

在工藝製造上，舊有的 Samsung B-Die 是採用 20nm 工藝生產，至於新的 A-die 記憶體則會轉向更新的 10nm 節點，預期在製程提升的情況下，新的 A-die 記憶體有望能夠實現更高的時脈速率，同時單顆 die 可以做到 16Gb 或 32Gb，即 2GB 或 4GB 容量，最高能做到單面 32GB 容量的記憶體。

為了進一步提高 SSD 容量及密度，Samsung 在日前正式宣佈開始生產業內首批 100 層 V-NAND，是基於 136 層堆疊、256Gb ( 32GB ) 的第六代 V-NAND ( 3bit，也就是 TLC ) 晶片，首款應用全新 V NAND Flash 的是 250GB 的 SATA 3 SSD 產品，預計性能比上代提升 10%、功耗降低 15%、生產效率提升 20%，數據傳輸速度是現時業內最快。

Samsung 表示，100 層 V-NAND Flash 使用“通道孔蝕刻”技術，新的 V-NAND 顆粒比之前的 90+層堆疊結構增加約 40% 的層數，達到了 136 層，同時新產品可兼顧速度、生產率和能源效率三方面，可以算是市場上佔據絕對優勢的產品。其 100 層 (第 6 代) V-NAND Flash 的寫入延遲低至 450μs、讀取響應時間為 45 μs，與上代 90 層 V-NAND 相比，100 層 V-NAND 不僅性能提升了 10%，功耗還降低了 15% 。

值得一提的是，新產品生產步驟簡化的同時、晶片尺寸亦同時縮減，讓生產效率能夠提高 20%。

Intel 由於 10nm 延遲改為以 14nm 製程去填補中間的空缺，導致 Intel 的 CPU 在去年出現供不應求的情況，為了解決 14nm 產能嚴重吃緊的問題，當時 Intel 計劃將部份 14nm 工藝交由台積電生產，然而最新有消息指 Intel 秘密接洽了另一家代工廠「Samsung」為其代工 14nm 處理器，預計將會包括即將在 2021 年推出的 Rocket Lake 系列。

為了能緩解 14nm 產能危機的問題，Intel 雖然已巨額斥資興建晶圓廠增加自家生產線，不過建造工廠需要數年時間，因此在燃眉之急的情況下，只能尋求外緩幫手， 並正與 Samsung 討論合作的相關事宜。

Samsung 代工業務部門積極的銷售策略是吸引 Intel 的其中一個原因，據了解，Samsung 提供特殊規格的全光罩（full-mask）給出的價格比台積電低 60%，Samsung 的全光罩是一種用於在晶圓上繪製電路的薄膜，比台積電推出的MLM 多層綜合光罩價格便宜，讓 Samsung 已經獲得了大量客戶的支持，能降低製造成本亦是吸引 Intel 的原因。

繼台積電、Samsung 晶圓代工、Intel 等國際大廠在先進邏輯製程導入極紫外光（EUV）微影技術後，同樣面臨製程微縮難度不斷增高的 DRAM 廠也開始評估採用 EUV 技術量產，Samsung 今年第四季將開始利用 EUV 技術生產 1z 納米 DRAM，SK Hynix 及 Micron 預期會在 1α nm 或 1β nm 評估導入 EUV 技術。

由於先進製程採用 EUV 微影技術已是趨勢，在台積電第二季 EUV 技術 7+nm 進入量產階段並獲華為海思訂單後，Samsung 晶圓代工也採用 EUV 量產 7nm 製程，Intel 預期 2021 年 7nm 會首度導入 EUV 技術。而隨著製程持續推進至 5nm 或 3nm 後，EUV 光罩層會明顯增加 2～3 倍以上，對 EUV 光罩盒需求亦會出現倍數成長。

另外，佔全球半導體產能逾 3 成的 DRAM，也開始逐步導入 EUV 技術。至於為何要採用 EUV 技術來生產 DRAM 記憶體，其原因就在於可以提高光刻精度、減小線寬、降低記憶體單位容量成本。

Samsung B-Die DDR4 記憶體顆粒有著高頻、低時序、吃電壓等幾大特性深受玩家愛戴，在近年不少廠商推出的高頻記憶體都會用上 Samsung 的 B-Die 顆粒，不過B-Die顆粒很快就會成為歷史，Samsung 日前公佈了最新的產品指導說明書，透露了 B-Die 今年上半年將陸續停產，並會由新款的 A-Die、E-Die顆粒接替。

Samsung B-Die是 Samsung生產的一種記憶體 DRAM 顆粒，與其他 DRAM 顆粒相比有更高頻、低時序、吃電壓的特性，同時有不俗的超頻能力，一條普通的DDR4-2133 隨便就可以跑到DDR4-3200甚至4000，成為超頻界的火熱顆粒，加上在過去幾年INTEL 及 AMD推出的新處理器對記憶體頻率的要求越來越高，基本都是DDR4-2666以上，因此Samsung B-Die 更成為高階用家追捧的產品。

隨著全球需要進行越來越多的數據處理及儲存容量，記憶體 DRAM 顆粒密度的增加變得越來越重要，Samsung 亦不得不調整公司的方向，最新公佈的 B-Die顆粒即將進入 EOL 狀態，取而代之的是更密集的M-Die及A-Die產品。