「Samsung 手機又爆炸!!」Galaxy S10 5G 手機在 4 月頭才剛剛上市，竟然不出一個月就發生爆炸事故，一名韓國用戶在網上發佈了幾張據稱是「Galaxy S10 5G」手機燒毀的相片，圖片可見手機內部已被燒毀無法修復，不過 Samsung 官方指出手機燒毀的原因是由外部衝擊造成，而並非故障所致，拒絕作出賠償。

據了解，一名李姓男子 Rivon 近日在 cafe.naver 平台發表了一個帖文，聲稱在購買「Galaxy S10 5G」後僅使用了六天，手機竟突然冒煙及著火，最終嚴重燒毀，李姓男子在帖文上聲稱：「當時我將手機放在桌上，突然間聞到有燒焦的味道，之後就迅速冒煙。我有嘗試拿起手機，但由於手機太燙了，我不得不把它丟到地上。」

根據圖片可見，手機屏幕很大部份燒成金黃色，屏幕亦已出現碎裂，至於玻璃背蓋亦有碎裂及燒溶的跡象，同時更有明顯燒焦的痕跡。幸運的是，Rivon 沒有因此受到傷害。

Samsung 最新宣佈已經開始大規模生產首款商用 eMRAM ( 嵌入式磁隨機存取儲存器 )，該產品基於 28nm FD-SOI 工藝技術，可廣泛應用於 MCU 微控制器、IoT 物聯網、AI 人工智能領域，並計劃在今年擴大高密度新興的非易失儲存器 (eNVM) 解決方案，包括 1Gb EMRAM 晶片。

MRAM 一種非易失性的磁性隨機儲存器，除了 MRAM，還有 eFlash、EEPROM、eMRAM、eRRAM、ePRAM 等次世代存儲器，能夠用於通用微控制器(MCU)、物聯網、工業、消費類電子、汽車等，提升數據保存的能力。

Samsung 指出，eFlash (嵌入式閃存) 要進步已經非常困難，由 SLC、MLC、TLC、QLC 到 OLC 技術 ，雖然密度越來越高，但是相對來說壽命亦越來越短，主控和算法不得不進行越來越複雜的補償。

DDR4 記憶體基本上在 PC 平台已非常普及，各 DRAM 廠商都開始為為新一代「DDR5」作好準備，其中，兩大 DRAM 廠 Samsung 及 SK-Hynix 已計劃在 2019 年底之前發佈 DDR5 產品，Samsung 將專注生產用於移動設備上的「DDR5」產品，而 SK-Hynix 則專注於台式機市場。

在 2 月中舉行的 ISSCC 國際固態電路會議，SK-Hynix 首次介紹全新基於 DDR5 規範的同步 DRAM 晶片，設計師 Dongkyun Kim 提到 SK-Hynix 正積極量產 16Gb DDR5 SDRAM 模組產品，全新的新 DDR5 SDRAM 模組製造節點為 1Ynm，基於四金屬 DRAM 工藝，封裝面積 76.22 平方毫米，是一款16Gb @ 每引腳 6.4Gbps 的 SDRAM，工作電壓為1.1V。

至於Samsung，在會上則詳述了一些關於 LPDDR5 SDRAM 的計劃，採用 10nm 工藝、工作電壓僅 1.05V，同時提供高達 7.5G/s 的速度，主要將用於移動設備上，包括筆記本電腦、平板電腦及智能手機等產品。

現時的智能手機除了用作即時通訊之外，其實亦可以充當相機或攝影機拍攝相片及影片，當需要儲存更多檔案的時候，手機內置容量的大小亦變得非常重要，為了滿足對儲存容量需求大的用家，Samsung 最新就宣佈將會量產首款 1TB eUFS 2.1 晶片，基於第五代 V-NAND 技術打造，讀取速度高達 1000MB/s，寫入速度也高達 260MB/s，看來智能手機很快就可以追得上筆記本電腦的的速度及儲存容量了。

Samsung 全新 1TB eUFS 2.1 晶片能夠為下一代移動應用帶來更優秀的使用體驗，在相同封裝尺寸 ( 11.5mm x 13.0mm ) 內，1TB eUFS 解決方案將先前 512GB 版本的容量提升了一倍，將 16 個堆疊的 Samsung 512Gb V-NAND Flash 與新開發的專用 Flash主控集合在一起。相比之下，目前高階手機常用的 64GB eUFS 只能儲存大約 13 段 4K UHD ( 3840 x 2160 ) 影片，而全新 1TB eUFS 2.1 晶片的容量，則可以錄製 260 段時長 10 分鐘的 4K UHD ( 3840 x 2160 )影片。

不僅在儲存容量方面有所提升， 1TB eUFS 還具有出色的傳輸速度，新的 eUFS 讀取速度高達 1,000MB/s，寫入速度也高達 260MB/s，連續讀取速度是主流 2.5 吋 SATA SSD 的兩倍。此外，1TB eUFS 的隨機讀取最高可達 58,000 IOPS，較 512GB 版本的提高了 38%，至於隨機寫入最高可達 50,000 IOPS，傳輸大量多媒體檔案時就更加快捷。

Samsung 旗下推出的 970 EVO SSD 以卓越的性超而聞名，自去年推出以來吸引到不少用家購買，Samsung 最新宣佈推出進階版的 970 Evo Plus 產品，升級採用 96 層 3D NAND Flash，不僅能夠提高效能，同時亦進一步將功耗降低。

Samsung 自 2015 年將第一款 NVMe SSD 引入消費市場，不斷改良SSD 的設計、性能及技術等層面，Samsung 全新第 5 代 V-NAND 技術是業界首發支援 Toggle DDR 4.0 傳輸介面的 V-NAND 快閃記憶體，傳輸速率高達1.4Gbps，相較上代 64 層堆疊的 V-NAND 快閃記憶體來說，足足提升了 40%，同時工作電壓亦由 1.8V 降至 1.2V。

規格方面，全新 Samsung 970 Evo Plus SSD 採用 M.2 (2280 ) Form Factor、PCIe Gen 3.0x4 接口 ，支援 NVMe 1.3 傳輸，備有 250GB、500GB、1TB、2TB 儲存容量，並分別搭配 512MB LPDDR4 DRAM ( 250/500GB )、1GB LPDDR4 DRAM ( 1TB )、2GB LPDDR4 DRAM ( 2TB ) 緩存。