在較早前 Intel 宣佈在消費級平台的全新第 9 代 Core處理器將升級支援 128GB 容量 DDR4 記憶體，打破以往僅能提供 64GB 記憶體容量的限制，對於伺服器平台來說 128GB 容量只是很小的一部份，Samsung 最新公佈即將為伺服器推出首款 256GB RDIMM 記憶體，並較現時的記憶體提供更高性能及更低功耗。

Samsung 表示將會進一步拓展記憶體核心業務，正開始出樣採用其 16-Gbit 晶片打造全新的 256GB RDIMM 記憶體，新的 DDR4 RAM 模組 RDIMM ( Registered DIMM ) 專為基於 AMD EPYC 系列處理器及 Intel Cascade Lake 核心的 Xeon Scalable 處理器伺服器而設，單條就可提供 256GB 容量，與1 28GB LRDIMM 相比，可提供更高的效率和效能。

Samsung 256GB RDIMM 記憶體採用 3DS 三維堆疊封裝，基於 10nm 16Gb DDR4 DRAM，並且由通過 TSV 接口（穿矽通孔）彼此連接的四層晶體管組成，在這種情況下，單晶片的容量為 8 GB（64 Gbits）每層16Gbit，可將記憶體的最大容量提高一倍。256GB RDIMM 雙面合共建入 36 顆晶片，每顆晶片提供 8GB 容量，內部封裝了四個 16Gb Die，由 IDT 4RCD0229K 晶片管理，並支援 ECC 記憶體技術。

據了解，Samsung 的目標是將 DIMM 提高到 768GBytes，最終在於使 HBM 數據速率從目前的 307GB/s 提高到 512GB/s，同時 GDDR6 繪圖記憶體將從目前的 18Gbits/s 提高到 22Gbits/s，而 LPDDR 記憶體功耗則將從 24mW/GB降至 12mW/GB。

那麼 256GB 記憶體模組可以做些什麼呢？Intel 即將推出的 Xeon Scalable “Cascade Lake”處理器似乎在所有 12 個 DIMM 插槽中支援高達 3.84TB 的記憶體，因此通過安裝 12 組 256GB RDIMM，雙插槽伺服器可以達成 6TB 記憶體容量。AMD 現有的 EPYC 處理器正式支援高達 128GB 的 LRDIMM 記憶體模組及高達 2TB 容量，然而 AMD 並沒有驗證 256GB 的 RDIMM，在未來若果 AMD 平台可以使用 256GB 記憶體的話，單個 CPU 就可支援 4TB 的記憶體，雙路平台可支援 8TB。

現階段 Samsung 未有透露其 256GB RDIMM 的詳細規格，但時脈方面應該不會高於目前常見的 DDR4-2400 和 DDR4-2667 速度，當然大家對定價亦非常有興趣，但由於 256GB RDIMM 記憶體主要針對伺服器營運商的利基市場，預計 Samsung 可能不會公佈 DIMM 的官方 MSRP，目前 Crucial 的 128GB LRDIMM 售價為 3300 美元，因此 256GB RDIMM 的售價市肯定會更高。