Samsung 在最新宣佈已成功開發出業界首款 10nm Class 8Gb LPDDR5 DRAM，新開發的 8Gb LPDDR5是 Samsung 優質 DRAM 陣容的最新成員，該陣容包括了自 2017 年 12 月開始批量生產的 10nm 級16Gb GDDR6 DRAM 及今年 2 月開發的 16Gb DDR5 DRAM，全新8Gb LPDDR5的開發代表了Samsung低功耗移動儲存器解決方案成功向前邁進一步。

隨著在全球優質記憶體的需求不斷增長，Samsung 將繼續擴展下一代 10nm 級 DRAM 陣容。自 2014 年第一款 8Gb LPDDR4 投入量產以來，Samsung 已開始轉向 LPDDR5 標準，用於即將推出的 5G 和 AI 人工智能移動應用。

據 Samsung 指出，8Gb LPDDR5 的數據速率高達 6,400 Mb/s，是現有旗艦移動設備 LPDDR4X 晶片、4266Mb/s 速率的 1.5 倍。隨著傳輸速率的提高，新的 LPDDR5 可以在一秒鐘內發送 51.2 GB 的數據，或大約 14 個全高清視頻檔案 ( 每個3.7GB )。

Intel 與 Micron 在今年 1月宣佈將會在 2020 年後終止 NAND Flash 合作夥伴關係，但在此前將不會對雙方的製程提升、產品規劃產生重大影響，Intel 最新就更新了他們的 3D XPoint 聯合開發合作夥伴關係，兩家公司已同意完成第二代 3D XPoint 技術的聯合開發，預計將於 2019 年上半年完成。

3D XPoint 架構的非揮發性記憶體運作原理是以快閃記憶體單元的選擇器和儲存部分採用硫族化物作材料，使用電阻並且是位元可尋址，基於「 bulk 材料的電阻變化」，從而比傳統的快閃記憶體於讀寫運作上更快、更穩定，而且各個資料單元不需要電晶體，因此封裝密度將是 DRAM 的 4 倍。

3D XPoint 於存取速度及延遲值上將有著可媲美 DRAM 的性能表現，但價格卻是 DRAM 的一半左右，速度上相較傳統 NAND 快閃記憶體快 1000 倍及耐用可高達 1000 倍，即最少一百萬覆寫次數，比起 NAND 快閃記憶體能耐的 3000 至 10000 覆寫次數高出很多，即使有 Trimming 跟 Over Provisioning 的提升也只是接近十萬覆寫次數，但價格方面會比 NAND 快閃記憶體貴 4 至 5 倍。

NAND Flash 及 DRAM 市場在去年雙雙出現齊旺的現像，Samsung、SK Hynix 及 Micron 三家大廠「賺到開巷」，然而在 2018 年 NAND Flash 及 DRAM 在價格出現分歧走勢，受到傳統淡季衝擊及 64/72 層 3D NAND 產能穩定擴張影響，NAND Flash 產品合約價已連續兩季下跌，可惜的是 DRAM 價格依舊未有出現下跌的跡象，當中佔據 DRAM 市場最大比重的 Samsung ，竟然被爆出通過控制記憶體產能延緩或者防止記憶體降價。

Samsung、SK Hynix 及 Micron 三大廠在 NAND Flash 及 DRAM 近乎佔了全球 95% 的產能，Samsung 的市場份額更維持在 45-50% ，因此在 2017 年 Samsung 的業績瘋漲不停，晶片業務為其帶來了最大的貢獻，DRAM 價格持續上漲更為 Samsung 帶來了更大的利潤。

面對記憶體產品的缺貨以及 DRAM 晶片的高需求，Samsung 為了加速 18nm 產品的出貨速度，強行縮短了部分流程，早前更有消息傳出 Samsung 18nm 記憶體模組產品存在瑕疵和隱患，需要召回用於 18nm DRAM 晶片生產的記憶體。

踏入七月夏日炎炎，代理商 MYLS-TEC 盛意為用家們帶來了多個「夏祭割引」優惠，第二波就是 TEAM 記憶體優惠，由即日起 DELTA RGB 8GB X2 3000MHz 記憶體只售 HK$1,399、NightHawk RGB 8GB X2 3000MHz記憶體只售 HK$1,499，優惠期至 7 月 31 日，數量有限，先到先得。

TEAM「T-Force Night Hawk RGB」記憶體以獨特「鷹眼」作為設計藍本，壓鑄及CNC精密切割等先進製造工藝，打造鷹翅對稱式造制設計，以華麗的RGB全彩同步燈效作賣點，支援ASUS AURA Sync技術與GIGABYTE RGB Fusion技術，可與ASUS及GIGABYTE主機板作燈效同步控制，另提供 T-FORCE Blitz 控制軟體，可配搭其他品牌主機板變換燈光模式，鷹眼光芒銳利閃爍，宛如一隻黑夜中的夜鷹蓄勢待發，令人愛不惜手。

全球半導體專利戰不斷升溫，在昨日才剛剛報導 Micron 在中國侵權訴訟敗訴，最新由“韓國時報”的報導指出，韓國 DRAM 巨頭 Samsung 及 SK-Hynix 涉嫌遭受中國公司竊取 DRAM 研發的先進技術，該中國公司試圖侵犯 Samsung 及 SK-Hynix 的專利，企圖藉此獲取先進的技術知識。

“韓國時報” 獲得內部人士的消息，表示 Samsung 及 SK-Hynix 已成為中國儲存晶片製造商的工業間諜目標，並企圖竊取兩大韓國 DRAM 巨頭的重要研發技術及知識產權。在半導體領域，專利對公司的成本結構由關重要，因此必須保護他們花費數十年建設的專利成果。

目前發展 DRAM 的三大廠分別是韓國的 Samsung、 SK-Hynix 和美國的 Micron，因為專利技術門檻高，三大廠死守技術。為了發展 DRAM 和 NAND Flash 技術，中國大陸更到台灣挖角人才，早前紫光集團更因為以 3-5 倍的薪資挖角 10 位台灣高級工程師，陷入竊取商業機密的嫌疑，紫光也針對這個事件發表聲明。