DRAM 合約價自去年第四季開始下跌，不少分析更將 2019 年第一季跌幅由原先預估的 25% 調整至逼近 30%，是繼 2011 年以來單季最大跌幅，不過有留意市況的用家都會發現，當 DRAM 價跌之時工廠就會有事故出現，你無估錯，今次發生事故的就輪到「Micron」，位於台中后里園區的記憶體封測廠在昨日發生二氧化碳外洩意外，有十名人員因身體不適送院。

據了解， Micron 位於台中后里的在 3 月 20 日中午進行消防設備保養檢測，檢測時懷疑外包廠商員工不慎誤觸二氧化碳滅火設備導致二氧化碳外洩， 約有十名員工因吸入過多二氧化碳導出現身體不適，其中 2 人一度失去意識，即時送院救治。

在事故發生後，Micron 已即時疏散部份員工，表明事故對整個生產並沒有影響，目前工廠已經恢復運作，這方面相關供貨商也表示如此，現正亦就此事配合有關單位進行調查。

在過去半年，全球記憶體市場供過於求的影響續步浮現，合約價已有下跌的跡象，2019年第一季還有二十多日就完結，究竟市況會變成怎樣? DRAMeXchange 最新公佈的調查顯示，由於庫存過剩 DRAM 產業大部分交易已經改為月結價(Monthly Deals)，2月份更罕見出現價格大幅下修，目前季跌幅從原先預估的 25% 調整至逼近 30%，是繼 2011 年以來單季最大跌幅。

半導體研究中心 DRAMeXchange 指出，從市場面來觀察，整體合約價自去年第四季開始下跌，隨後庫存水位持續攀升。近期 DRAM 原廠庫存(含wafer bank) 普遍來到至少一個半月的高水位。同時，Intel 低階 CPU 缺貨情況預期將延續至今年第三季末，在需求受到壓抑的情況下，PC-OEM 也無法消化供貨商的DRAM顆粒，整體市場呈現出“無量下跌”的窘況。這代表即使原廠願意大幅降價求售，也無法有效刺激銷量。如果需求沒有強勁回歸，高庫存水位將導致今年 DRAM 價格持續下修。

放眼一至二年後的 DRAM 市場，三大廠在市佔率上的競爭不會停歇。SK Hynix 日前宣布將斥資 120 兆韓元(約1,070億美元)興建4家晶圓廠，維持競爭優勢。Micron 集團則加碼於台灣興建封測廠，同時在台中後里的台灣 Micron 記憶體，正考慮新建全新的 12 寸 DRAM 廠，最快可能於明年年底完工，2021年可以放量，而最大廠 Samsung目前也正在興建平澤二廠。

DDR4 記憶體基本上在 PC 平台已非常普及，各 DRAM 廠商都開始為為新一代「DDR5」作好準備，其中，兩大 DRAM 廠 Samsung 及 SK-Hynix 已計劃在 2019 年底之前發佈 DDR5 產品，Samsung 將專注生產用於移動設備上的「DDR5」產品，而 SK-Hynix 則專注於台式機市場。

在 2 月中舉行的 ISSCC 國際固態電路會議，SK-Hynix 首次介紹全新基於 DDR5 規範的同步 DRAM 晶片，設計師 Dongkyun Kim 提到 SK-Hynix 正積極量產 16Gb DDR5 SDRAM 模組產品，全新的新 DDR5 SDRAM 模組製造節點為 1Ynm，基於四金屬 DRAM 工藝，封裝面積 76.22 平方毫米，是一款16Gb @ 每引腳 6.4Gbps 的 SDRAM，工作電壓為1.1V。

至於Samsung，在會上則詳述了一些關於 LPDDR5 SDRAM 的計劃，採用 10nm 工藝、工作電壓僅 1.05V，同時提供高達 7.5G/s 的速度，主要將用於移動設備上，包括筆記本電腦、平板電腦及智能手機等產品。

無論用於電腦平台或是行動裝置，儲存裝置的讀取速度都會是用家購買時的考慮因素之一，為了滿足未來幾年不斷成長的儲存需求，SD Association 最新公佈了 microSD Express 格式，採用與 SD Express 同樣的 PCIe 3.1 及 NVMe v1.3 介面，不僅擁有低功耗的特點，同時更可提供高達 985 MB/s 的傳輸。

全新「microSD Express」基於 SD 7.1 規範，與 SD Association 之前已公佈的 SD Express 卡同樣， microSD Express 亦可提供 microSDHC Express (最大 32GB )、 microSDXC Express (最大 2TB ) 及 microSDUC Express (最大達 128TB ) 三種格式，並採用傳統的 microSD 接口，以便實現與舊設備向後的兼容性。

「microSD Express」在第二排插腳上分別採用 PCIe 3.1 及 NVMe v1.3 規範，PCIe 3.1 包括低功耗子狀態 (L1.1, L1.2)，可為行動市場實現 SD Express 的低功耗，並提供高達 985 MB/s 速度。同時，「microSD Express」支援Multi Queue Support 多核心處理器、Host Memory Buffer 及 Bus Mastering 等功能，Host Memory Buffer 可以去除「microSD Express」記憶卡上的靜態記憶體需求降低成本，直接向主機 RAM 借一部分動態記憶體進行緩存，至於Bus Mastering 則可讓接在匯流排的裝置直接對其它裝置發出 I/O 請求，允許除 CPU 以外的產品（例如調製解調器、相機等）將數據發送到儲存設備，而無需 CPU 介入。

隨著在全球移動設備對記憶體的需求不斷增長，JEDEC 最新發佈了 LPDDR5 標準，新一代的LPDDR5最高能提供 6400 MT/s，速度比上代的 LPDDR4 高出50%，將顯著提高包括智能手機、平板電腦及超薄筆記本電腦等設備的記憶體運行速度及效率。

自 LPDDR4x RAM 發佈以來已近 4 年，接下來就輪到 LPDDR5 了，JEDEC 表示新發佈的「JESD209-5」LPDDR5 規範帶來了大量的功能和改進，提供更快的速度、更高的效率及更佳的電源管理。

全新的 LPDDR5 新標準由 LPDDR4 的 3200 MT/s 增加到 6400 MT/s，是LPDDR4X 晶片4266Mb/s 速率的 1.5 倍，為了在 LPDDR5 中實現更高的記憶體效能，LPDDR5 新標準經重新設計，將 “memory banks ”的數量由 8 倍增加到 16 倍，新儲存器可以在降低功耗的同時獲得更高的速度，全新 LPDDR5 還採用了先進的速度優化電路架構，可以驗證並確保晶片的超高速性能。