現時智慧型手機已成為常用隨身物品，為保障動輒也三數千元的智慧型手機，減低不少心便刮花手機屏幕的可能性，大部份用家也會為手機添加一片屏幕保護貼，但市場上選擇眾人，由十元八塊至三兩百元不等。其中，為提供高品質耐用及多重防護，代理商日聲電腦最新引入由 HODA 推出的 AS 高透光疏水疏油防靜電手機屏幕保護貼，提供基本防刮功能之餘更防水防油，即使弄污也一抹即淨。另一款為 ASG 霧面磨砂疏水疏油防指紋手機屏幕保護貼更設有防反光效果，在夏天烈日當空下仍可清楚看見屏幕影像，更加方便。

為提升 SATA 介面的傳輸速率， SATA-IO 組織 8 日於其官方網站中宣佈正式完成制定 SATA 3.2 標準規範，透過加入 SATA Expres 技術，新規範讓 SATA 和 PCIe 介面存儲設備共存，可透過 PCIe 技術提供比較現時 SATA 6Gbps 大幅提升的傳輸效能，夠讓高效能 SSD 或 SSHDs 提供更快的傅輸速率表現。

SATA Express 在 2013 年 1 月推出，允許 SATA 和 PCIe 解決方案共存，而且 SATA Express 可透過 2 lanes 的 PCIe 3.0 技術使接口支援最高 2GB/s 傳輸速度，比較現時 SATA 6Gbps 大幅提升，也為優化 SSD 和 SSHDs 提供具成本效益的解決方案。

據 SATA-IO 總裁 Mladen Luksic 表示，隨著 SATA 技術的不斷發展，以適應不斷變化的存儲行業的要求， SATA 3.2 標準規範的 SATA Express 可持續承諾提供低成本，並滿足新興 SSHDs 的高效能存儲解決方案，同時也配合當前的市場趨勢。

隨著 Micron 正式購併 Elpida ， DRAM 產業寡佔市場格局亦已確立，在各大 DRAM 供應商早前已按規劃減少標準型記憶體影響下，主流模組 4GB 均價在第二季上揚，其中 4Gb 顆粒價格更是達近年新高，也讓 DRAM 廠總營收在第二季中錄得新高，並創下近三年來單季最高漲幅。據市場分析預期，隨著 DRAM 產業供應端仍持續進行結構調整，第三季全球營收預估仍將維持小幅成長，似乎用家最想看到 DRAM 價格回落的日子仍遙遙無期。

據全球市場研究機構 TrendForce 旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 表示，在過去數月來觀察所見，第二季主流模組 4GB 均價累積上揚 16% ，由 23.5 美金漲至 27.25 美金，同時 DRAM 廠總營收再創新高，達 85.3 億美元，季成長 24% ，創下近三年來單季最高漲幅。

在各 DRAM 廠商之中，目前仍以 Samsung 和 SK Hynix 兩大韓系廠商合共佔下整體市場的 62.7 佔有率繼續領導市場，但較上一季度出現小幅衰退，排名第一的 Samsung 季度營收成長僅 7.7% ，相反第二的 SK Hynix 卻錄得高達 40.7% 的大幅增長。

香港電訊供應商 one2free 6 日公開宣佈聯同 HTC 獨家推出 HTC One Mini $0 機價預售 HTC One mini 4G 手機，由今日開始接受優先預訂 ; 同時亦推出 one2free PLAYGROUND 最新「多 fun 相機」應用程式 (Funographer) 。

只需選用 $267 「至啱我」服務計劃，即可以 $0 機價享用全新 HTC One mini 4G 手機，並獲贈手機配件包括 Monster 入耳式耳機、皮製保護套及 Amuse 5600mAH 外置充電器（總值超過 $900 ）。另外， Oh! Club 會員更可享額外 6 個月手機保養服務。同時， oone2free 亦提供 $667 「齊齊分」服務計劃 , 即可以 $0 機價購買 2 部 HTC One mini 手機，與摯愛親朋分享 4 張 SIM 卡及 25GB 本地流動數據。

one2free 客戶可享全港獨家的 HTC One mini 優先預訂，只需選用 $267 「至啱我」服務計劃，即可以 $0 機價購買 HTC One mini ，同時獲享手機配件總值超過 $900 。另外，可選擇 $667 「齊齊分」服務計劃，以 $0 機價購買 2 部 HTC One mini ，與摯愛親朋分享 4 張 SIM 卡及 25GB 本地流動數據。以下資料僅供參考，詳情請參閱

近期不少廠商為 NAND Flash 市場積極創新，據外電報導指出，由來美國的 Crossbar 5 日在其官方網站宣佈，自主研發一款提供大容量、高性能和非易失性存儲的 Resistive RAM 電阻式記憶體，可在 200mm 面積的晶片下提供最多 1TB 儲存容量，而且寫入效能、可靠性和耐用性也比較現時 NAND Flash 得到倍數增長。

據報導指出， Crossbar 研發的 Resistive RAM 電阻式記憶體採用三層式結構，相容主流的 CMOS 製造工藝，透過 3D 堆疊進一步擴大容量，每一個存儲單元會放置在橫豎交錯的互連層內，形成頂部金屬電極、中層切換媒介以及底部電極的結構。

透過 3D 堆疊， Resistive RAM 電阻式記憶體能夠提供比現時一般 NAND Flash 快閃記憶體快 20 倍的寫入性能，也可在 125 ℃環境下使用長達 10 年的壽命，而且功耗也較 NAND Flash 低，同時 Resistive RAM 電阻式記憶體擁有面積更細少的優勢。