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Micron量產全新34nm怏閃記憶體 採用ONFI 2.1介面  效能更進一步
文章索引: Micron IT要聞
Micron 週二宣佈使用 34nm 制程技術生產 NAND Flash 晶片,將使到 SSD 固態硬碟的價錢更平易近日,或同價格下容量進一步提升,以 32Gb MLC NAND Flash 為例,全新 34nm 程相較前技術,晶片尺寸將可減少 17% ,而 34nm 16Gb MLC NAND 亦只會有 84mm

據 Micron 表示,全新 34nm NAND Flash 晶片將採用 ONFI 2.1 同步介面是現時最高速的 NAND Device 介面,可提供高達 200MB/s 速度,相較傳統介面每顆 NAND Flash 介面最高速度僅 4xMB/s ,在傳輸速度上有著明顯的差異,以配合日後 SATA 提升至 6Gb/s 速度。

據 Micron 記憶體事業群副總裁 Brian Shirley 表示,全新 34nm 16Gb 及 32Gb NAND 已進入量產階段,將為客戶提供更低成本、高容量但體積細小的儲存解決方案,大幅減少所佔的容間及所使用的晶片數。最重要的是,全新 ONFI 2.1 介面所帶來的速度提升令 SSD 固態硬碟效能更進一步。
Micron關閉博伊西8吋晶圓廠 裁減500員工  減少1.5億美元的虧損
文章索引: 記憶體 Micron IT要聞
由於全球經濟日益惡化,加上 DRAM 需求嚴重飽和, Micron 24 日宣佈將會續漸關閉位於愛達荷州博伊西 8 吋晶圓廠,這一計劃將會裁減約 500 名員工,有助該公司會計年度內完成裁減 2000 名員工的目標。

據 Micron 董事長兼首席執行官 Steve Appleton 表示,公司仍然相信,市場對 DRAM 及 NAND Flash 產品需求即將趨於穩定,並且在春季會有明顯改變,但事實上仍是情況惡劣,因此我們現時提早讓員工得悉這個消息,公司將於夏季續漸關閉位於愛達荷州博伊西的 8 吋晶圓廠。

除了全球經濟日益惡化,加上 DRAM 需求嚴重飽和,另一個關閉位於愛達荷州博伊西的 8 吋晶圓廠的主要原因,是 200mm 晶圓不再用於製造高端產品,該廠所生產的記憶體產品已經過時。
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