隨著 SSD 固應硬碟無論在消息市場或企業市場均已成普及， Micron 27 日宣佈推出全新型號 SSD 產品，為 P410m 固態硬碟，針對資料中心應用和企業級存儲平台，可提供高耐用表現，支援 6 Gbps 串列連接 SCSI( SAS) ，能夠為企業用戶提供每週 7 天 24 小時不間斷資料存取的任務關健型 1 級存儲應用。

據 Micron 表示，在一般要求無間斷存取的應用中，首選 SAS 是因為其雙埠介面能夠提供客戶期待 SAS 硬碟應有的高可用性和可訪問性，而是次推出的 P410m 則可提供處理持久性資料存儲獨特工作負載所需的一致的低功耗和均衡的讀 / 寫性能。

全新 P410m 固態硬碟為 2.5 吋 7mm 硬碟，採用 Micron 25nm MLC NAND 快閃記憶體，集成了其擴展性能和增強可靠技術 (XPERT) ，而且通過優化固件演算法和硬體增強使存儲介質和控制器緊密結合，從而確保該介質高度可靠，為企業級提供增強的資料能和可靠性。

為針對快閃記憶體卡和 USB 硬碟等具價格競爭力的移動存儲應用， Micron 日前宣佈推出業界最小的 20nm 三層 NAND 存儲單元 (Triple-Level-Cell) 128 Gigabit NAND 快閃記憶體，面積僅 146mm

據 Micron 表示，是次宣佈推出的 128Gb TLC 設備主要針對具價格競爭力的移動記憶體市場，並在 2013 年一季度將佔整個 NAND 容量的 35% ，將使消費類存儲應用提高到一個新階段。

針對數據中心的伺服器和儲存應用， Micron 日前宣佈推出新型專屬回應硬碟，型號為 P400m ，提供 100 、 200 和 400 GB 容量，加上採用 XPERT 作為核心技術，專門為管理高速和海量資料儲存而設，同時提供高保護性、耐用性和穩定性表現。

據 Micron 表示，資料可靠性和系統正常運行時間一直是數據中心管理人員最關注的問題， 而目前加速湧入的資料和巨大的需求高峰需要不同的反應，而且更需高靈敏的系統。正是由此應運而生，提供對於高性能存儲層重要的高可靠性和耐用性、加快吞吐量和應用程式產生的需求高峰期的回應。

Micron 全新 P400m SSD 採用 2.5 吋 7mm 厚規格，採用 Micron 25nm MLC NAND 快閃記憶體顆粒，並支援 XPERT 技術，透過此技巧優化固件演算法和硬體增強，將存儲介質和控制器密結合，增強資料性能和可靠性。

針對高性能計算和存儲平台應用， Micron 15 日宣佈與 AgigA Tech 合作，開發非易失性 DIMM 技術的 NVDIMM 產品，利用兩者優勢提供廣泛的應用，包括伺服器 RAID 、存儲分層、資料記錄、重復資料刪除、系統檢查點和中繼資料處理，加強性能、成本和資料安全。

此次合作將充分利用 Micron 和 AgigA Tech 各有的優勢，如 Micron 在記憶體 IC 、模組開發和製造上的經驗，以及 AgigA Tech 在 IP 和混合非易失性 RAM 技術領域大量的專利等， Micron 將向客戶提供與 AgigA Tech 的電源模組配對，該模組基於超級電容的 NVDIMM 模組。

NVDIMM 符合行業標準的 DRAM 和 NAND 快閃記憶體技術，支援主記憶體在持久、高速高性能計算上的應用，能夠提供低延遲和幾乎無限持久的 DRAM 和非易失性快閃記憶體，而且可以輕鬆插入符合行業標準的伺服器和存儲平台的 DIMM 插槽。

Micron 17 日宣佈針對行動設備推出 Phase Change Memory(PCM) ，並已正式進行量產，是全球首家提供批量生產的 PCM 解決方案的廠商，針配合行動設備市場的需求，可增強行動設備的開機時間，以及簡化軟件開發和增強覆蓋能力的表現，而且也提供低功耗和高可靠的特性。

Phase Change Memory 採用 45nm 製程，並包含 1 個 1Gbit PCM 顆粒，以及 1 個 512Mbit LPDDR2 DRAM 組成堆疊封裝而成，符合 JEDEC 行業標準，優化共享 LPDDR2 的和 PCM 之間的接口，利用更成熟的技術和封裝能力，以滿足需要更高的性能及擴大存儲需求。

據 Micron 表示， Phase Change Memory 可提供快速開機表現，而且 PCM 擁有低功耗特性，亦間接增加了行動設備的電池續行力，進一步提升行動設備的效能表現。同時， PCM 在斷電後不會丟失資料，因此亦可作快閃記憶體之用。