在今年初舉行的 CES 2020，NVIDIA 正式發佈了具備 360Hz 更新率的全新「G-Sync Esports Displays」技術，同時間 ASUS 亦在會場上展出自家的 360Hz 電競顯示器，近日這款顯示器「ROG Swift PG259QN」就正式發佈了，「ROG Swift PG259QN」採用 24.5 吋 16:9 IPS 面板，支援 FHD 1920 x 1080 解像度，在透過 ASUS Fast IPS 技術讓顯示器可提供驚人的 360Hz 更新率，是市場上最快的 Gaming Monitor。

全新「ROG Swift PG259QN」是一款 24.5 吋 16:9 的顯示器，採用 IPS Panel，提供 178°(H)/178°(V) 可視角度，支援 FHD 1920 x 1080 解像度、HDR10 高動態範圍、400 cd/m² 光亮度及 1670 萬色，顯示器背面提供了 1 個 HDMI 2.0(v2.0)、1 個 DisplayPort 1.4、1 個 3.5mm Mini-Jack 及 2 個 USB3.0 接口。

受惠於「ASUS Fast IPS Panel」技術，「ROG Swift PG259QN」可提供 1ms GTG 反應時間、1000:1 對比度及高達 360Hz 更新率，是目前全球最快的 Esports Gaming Monitor。ASUS 的數據顯示，在專業級 FPS 射擊遊戲中，360Hz 的顯示器比 240Hz 顯示器可以將瞄准率提高 4%，而比 60Hz 顯示器更可以提高 37%，在進行 FPS 遊戲時就可帶來更流暢及無撕裂的畫面。

為協助用家節省使用空間，Microsoft 打算在末來 Windows 10 更新中加入了「Archive Apps」自動封存功能，系統會自動對不經常的 Microsoft Store 下載的 App 進行封存，刪除很少使用的應用程底，但會保甶它的設定檔、用戶數據，當需要使用時再下載回來。

據了解，「Archive App」封存功能現時已在 Windows 10 Beta 版本中讓用戶體驗試用，該功能在開啟後會自動偵測不常用的 App，這個功能與 iOS 中的 Offloaded apps 功能。

MSI 又再拓展旗下的產品線，最新宣佈推出首款電源器產品「MPG GF」系列，分別提供了 650W、750W 及 850W 三款輸出功率，內部採用 100% 全日系電容並獲得 80 PLUS 金牌認證，MSI 更表示全新的「MPG GF」電源器在 IO 輸出部份將會支援最高達 3 x 8-pin ( VGA ) + 2 x 8-pin ( CPU ) 或 4 x 8-pin ( VGA ) + 1 x 8-pin ( CPU ) 連接，因此能夠支援 NVIDIA 即將推出的 GeForce RTX 30 系列新卡。

MSI 全新「MPG GF」系列電源供應器備有 A650GF、A750GF 及 A850GF 三種型號，分別提供 650W、750W 及 850W 輸出功率，支援 100V~240V 電流輸入，內部用上 100% 全日系 105°C 電容，具有 DC-DC 模組設計的 LLC 諧振轉換器，以保證穩定的電力輸送和長期可靠性。

「MPG GF」系列最大的賣點就是支援 NVIDIA 新一代 RTX 30 系列繪圖卡，供電端可支援最多 3 x 8-pin ( VGA ) + 2 x 8-pin ( CPU ) 或 4 x 8-pin ( VGA ) + 1 x 8-pin ( CPU ) 連接，能夠滿足 NVIDIA 高階新卡的供電需求，全模組化設計配合扁平線材，方便藏線減少雜亂。

NVIDIA 27 日在官方影片中確認 GeForce RTX 30 系列將會首次採用全新的 PCIe 12-Pin 輔助供電接口，不過該設計是 NVIDIA 自已開的規格並非行業標準， 其他非公板仍會沿用 PCIe 6 / 8-Pins 設計，由於 NVIDIA 在 VGA 卡市場擁有龐大的市場份額，因此 PCIe 12-Pin 很大機會在未來普及。

據了解，GeForce RTX 30 系列將會改良外接電源設計，採用全新 PCIe 12-Pin 並加入傾斜角度，線材可以收藏在 VGA 外殼令外觀更整齊，單一線材最高可支援 300W 供電，為了方便規格過渡，GeForce RTX 30 公板新卡會附連雙 8-Pin to 12-Pin 轉接線。

早前 Twitter 同時流出了一張 PCIe 12-Pin 與舊有 8-Pin 的比較圖，可以看到 PCIe 12-Pin 的插口較 PCIe 8-Pin 緊湊，12-Pin 大小其實只較 8-Pin 略寬。

2020 世界半導體大會 26 日正式舉行，TSMC 除了公佈了 6nm、5nm、3nm 制程的進度外，亦首次談及了 2nm 制程研發，TSMC 2nm 將會首次導入 GAA 環繞閘極工藝，將會投入 8,000 工程師專門針對 2nm 進行研發，並會在台灣新竹興建 2nm 廠房，2nm 將會是 TSMC 能否持續領先的關鍵之役。

據了解，無論是 TSMC 或是 SAMSUNG，半導體制程均已推進至 3nm 級別，技術研發基本上已完成，剩下來是產能和良率問題了，但 2nm 制程將會是 TSMC 的重大挑戰，因為 SAMSUNG 提早在 3nm 制程中導入 GAA 環繞閘極工藝，TSMC 做法則比較保守，選擇在 2nm 制程才導入 GAA 環繞閘極工藝，所以 2nm 對 TSMC 來說將會是一次重要的技術世代。

現時大部份 14nm 或以上制程均是採用 FinFET 鰭片式電晶體，當前的微縮製程走到3nm，將會面臨新的物理極限，除非改用 GAA 環繞閘極工藝結構，否則摩爾定律就很難再維持下去，GAA 環繞閘極工藝成為了兵家必爭之地。