近期 DRAM 現貨市場仍延續近期的價格走勢， DDR2 512Mb eTT 顆粒雖然小幅下跌，但已有支持的力道出現，收在 0.81 美元，跌幅約 1.2% ；而 DDR2 1Gb eTT 顆粒價格則滑落至 1.61 美元，跌幅約 1.8% ；品牌顆粒 DDR2 1Gb 的價格小幅下跌 2.41% ，收在 1.96 美元。值得注意是 DDR2 512Mb eTT 顆粒價格，在上星期曾一度跌破 0.80 美元關卡，最低落在 0.77 美元的價位，但隨即反彈至原來的價格， DRAMeXchange 預期本週 DDR2 512Mb eTT 顆粒價格將會持平或是呈現小幅上揚的價格趨勢。

據 DRAMeXchange 表示，現貨市場在經過這一段時間的 DRAM 顆粒價格下滑走勢中，終於出現反彈的趨勢，下表節錄自集邦科技最新的研究報告，將今年 DDR2 價格大幅滑落與 1998 年和 2001 年的情況做分析比較。 1998 年 8 吋晶圓廠擴張速度過快導致市場供過於求， 2001 年 SDRAM 128Mb 適逢 911 事件與整體的泡沫經濟導致需求急速下滑， 2007 年則為 DDR2 512Mb VISTA 效應不如預期、 DRAM 需求成長率成長趨緩、 12 吋晶圓廠產出過剩導致價格持續走弱。

儘管跌價原因不盡相同，但是當價格低於變動成本的時候，就會開始出現反彈的現象，因為廠商會適時調整生產計畫，如 1998 年第二季時 DRAM 曾跌至 0.8 美元左右的價位，然而第三季就回到約 2.0 美元的水準；同樣情形也發生在 2001 年 11 月，當時主流顆粒 SDRAM 128Mb 133 跌落到 0.8 美元，但也隨即在 12 月時將價格拉回 2.42 美元的均價。綜觀前兩次的價格變化，都是由國際大廠率先減產，冀望市場供需平衡讓價格可以止跌回升。

據市調機構 DRAMeXchange 指出， DRAM 貨市場持續走弱， DDR2 512Mb eTT 顆粒下滑至 0.93 美元，跌幅約 2.1% ， DDR2 1Gb eTT 顆粒價格正式跌破 2.0 美元，最後收在 1.91 美元，跌幅約 9.0% 。據 DRAMeXchange 分析， DDR2 512Mb eTT 顆粒價格雖有回穩的趨勢，但在需求量依然冷清，加上 DDR2 1Gb eTT 顆粒價格跌幅過快的情形下，預估 DDR2 512Mb eTT 顆粒價格可能下探並跌破 0.9 美元關卡的目前價位。

據 DRAMeXchange 表示，合約市場方面， 11 月上旬 DDR2 667 1GB 記憶體模組平均成交價約落在 22 美元，隨著現貨價格持續下滑與 10 月出貨旺季已過， OEM 廠商普遍拿貨意願依然不高，使得 11 月下旬合約市場更顯清淡。以現貨價格與合約價格來分析，目前的價差仍有 10% 的空間，所以對於 11 月下旬合約價的議定， DRAM 廠商將繼續面對相當程度的壓力。

值得一提的是，目前一顆 DDR2 1Gb eTT 的價格已經逼近二顆 DDR2 512Mb eTT 的價格，這將會正式帶動 DDR2 1Gb eTT 與 DR2 512Mb eTT 的世代交替，並加速 2GB 記憶體模組跨入主流市場。以 DDR2 1GB 記憶體模組來說，使用 DDR2 1Gb eTT 顆粒只需打上單面的顆粒，不但節省打件時間，也可以省下部份元件費用，整體加工費約可減少 8% ，對於模組廠而言，不啻為另一種蹲節成本的方法。

市調機構 DRAMeXchange 表示， 1111 月上旬 NAND Flash 合約價格大致跌幅約為 0 ~ 5% ，比前兩個月跌幅明顯縮小，主要是因為下游客戶在 10 月已陸續進行降低庫存的動作，加上市場預期 11 月中旬要開始準備年底旺季的備貨需求，令 NAND Flash 價格走勢在 11 月初已經出現止跌回穩的現象。

隨著 NAND Flash 供應商 5x nm 製程產品供應量提高後，下游客戶採購顆粒開始轉向以 8Gb 和 16Gb MLC 為主流，導致 TSOP 4G MLC 顆粒跌幅約為 11% ，相較於其它規格來得顯著。有鑒於 9 月以來 NAND Flash 價格的連續下跌幅度已大， DRAMeXchange 預期 NAND Flash 合約價在年終假期銷售旺季前的需求支持下，短期內可望呈現平穩的走勢。

而過去數月，下游記憶卡業者生產 1GB microSD 時，一直面臨原料不足的窘境，主要是因為上游供應商的 5X 奈米 8Gb 晶圓產出有限，但隨著供應商製程良率的不斷改善， DRAMeXchange 預估今年底前缺貨問題將可逐漸獲得紓解。

據市調機構 DRAMeXchange 第三季 NAND Flash 營收市佔率報告指出， NAND Flash 品牌廠商在 2007 年第三季整體營收表現亮麗，逼近三十九億美元，比第二季成長了 36.8% ；整體 NAND Flash 位元出貨量相較於第二季成長約 30% ；而就營收排行而言， Samsung 如預期再度蟬連冠軍， Toshiba 居次，而 Hynix 、 Micron 和 Intel 營收均有顯著的成長。

據了解，由於第三季為傳統 NAND Flash 下游客戶的備貨旺季，加上 Samsung 八月初突發的停電事件影響，造成 NAND Flash 市場供應吃緊，使得第三季 NAND Flash 均價上漲約 5% 以上。雖然廠商在第三季有提高 NAND Flash 的投片量及 MLC 的生產比重，但由於部份 NAND Flash 廠商 5x nm 新製程仍處在調整期階段，因此整體的位元出貨量，比第二季成長約 30% 。

雖然三星的器興 (Giheung) 廠區在八月初發生停電的突發事件，使產出量稍微受到影響，在第三季的營收市佔率為 39.8% ，比第二季的 44.3% 稍微下滑，再加上 50 nm 新製程技術在第三季仍處於調整期，因此 NAND Flash 位元出貨量僅較第二季成長約 3% ，但仍然穩坐 NAND Flash 廠的營收龍頭。此外， SLC 與 MLC 的價格都有明顯的上漲，因此營收仍比第二季成長了 22.9% ，約十五億五千萬美元。

市調機構 DRAMeXchange 指出，記憶體現貨市場 eTT 顆粒呈現近幾周少見的急漲局面， DDR2 512Mb eTT 價格收在 1.17 美元，漲幅約 11.9% ；相較之下，品牌顆粒仍呈現平穩走勢，上漲至 1.37 美元，幅度為 1.4% 。

根據 DRAMeXchange 分析指出，上周 DDR2 eTT 的強勁漲勢，是因為 eTT 主要的供應商進行 70nm 轉進，供給量減少，部份買主逢低買進拉抬買氣，進而帶動價格上揚，因此這波價格上揚主要是短期市場操作結果，而非市場終端需求帶動；此外，這波投機性買盤主要集中在 DDR2 eTT 的顆粒，並沒有帶動品牌顆粒價格同步上漲，接下來幾周 DDR2 eTT 的供給將會大量開出，屆時 DDR2 eTT 也會再回探 1 美元。

據了解，十月是 PC 出貨旺季，也是 DELL 及 HP 的年底結帳月，兩家系統大廠皆希望將零組件庫存降低，尤其是價格持續下滑的 DRAM 。十月上旬 DDR2 UDIMM/SODIMM 模組合約價已經下降 20% ，仍難以刺激合約市場的買氣，導致十月下旬合約價繼續下跌 10% 。在合約價持續走低的情況下，的確能刺激 DRAM 搭載率的提昇，尤其在消費型筆記型電腦中， 2GB 比率已接近 60% ；若未來 DRAM 價格持續下降，年底將有機會增加至 70%-80% 。