DRAM 現貨市場上週 (3/4-3/10) 價格再呈現下滑走勢， eTT 顆粒 DDR2 512Mb 和 DDR2 1Gb 的收盤價分別為 0.84 美元與 1.69 美元，跌幅 2.3% 與 3.4% ；品牌顆粒部份 DDR2 512Mb 和 DDR2 1Gb 則滑落 1.0%-1.5% 。

DRAMeXchange 分析師指出，近期因美元走貶的關係， DRAM 原廠與模組廠紛紛延緩出貨速度以降低匯兌損失，但相對的也增加了手上庫存的壓力；另一方面在淡季效應影響下與德國 CeBIT 的開展，使得整體現貨市場交投清淡，導致現貨價格的滑落。

據了解，三月上旬合約市場， DDR2 667 1GB 的記憶體模組均價下跌 2.8% 到 17.5 美元，而 DDR2 667 2GB 模組均價則下滑至 40 美元，跌幅約 4.8% 。由於 OEM 廠商手上仍有不少的庫存，加上淡季因素與價格處於下跌趨勢，對於三月下旬合約價的議定將有一定的難度。

昨日 Micron 宣佈將與 Nanya 共同開發 50nm 或以下的 DRAM 技術，並計畫在往後數個月間針對此合作計畫簽訂合約，此一合作案所象徵的意義，將是 DRAM 技術發展兩大陣營堆疊式（ Stack ）與溝槽式（ Trench ）的不再分明，而兩者的市佔率也將隨著陣營間的交互合作進而呈現變化。

2008 年 2 月 25 日全球第二大 Qimonda 公開宣佈技術開發藍圖，除了採用新的 Buried Wordline 技術及今年進行 58nm 轉進，更進一步指出 2009 年下半將轉進 46nm ，而其技術更可往 30nm 及 4F2 邁進。在 Qimonda 發表新技術開發藍圖之際，恰巧在 Micron 與的技術合作開發備忘錄公布的前一周，也讓市場推測奇夢達的宣示是否隱藏著更深層的意義。

市調機構 DRAMeXchange 所公佈的 2007 年營收排行， Nanya 與 Micron 陣營的市佔率，與目前南亞與奇夢達的陣營比例並無顯著的差別，然而未來在堆壘式與溝槽式陣營的合作模式出現之後，隨著此合作的發展，相信其市佔率的比率也將會呈現變化。

據市調機構 DRAMeXchange 指出，春節假期過後，現貨市場 DDR2 價格呈現下滑走勢 ， DDR2 512Mb eTT 從開市 2 月 12 日的 1.02 美元下滑至 2 月 20 日最低 0.86 美元，跌幅約 15.7% ；而 DDR2 1Gb eTT 則從 2.11 美元下滑至 2 月 20 日最低的 1.66 美元，跌幅約 21.3% 。

有分析師觀察指出，上週（ 2/19-2/25 ）現貨市場出現了止跌回穩的訊號。以一週的平均價格來觀察，除了品牌顆粒 DDR2 512Mb 與 1Gb 價格分別固守在 1 美元與 2 美元且未破底之外， DDR2 1Gb eTT 的現貨顆粒價僅微幅下跌約 2.3% ，反觀 DDR2 512Mb eTT 則是出現了逆勢上揚約 4.3% 的狀況。

據了解，自 2007 年 12 月變動成本議題披露之後，市場普遍視 0.8 美元為 DDR2 512Mb eTT 價格的底部，所以當上週價格跌至 0.85 美元之後，現貨市場開始出現補貨情況，加上投機性的買盤進場導致整體價格攀升；另一方面從市場面來分析，前兩季本屬需求淡季，而且目前整個現貨市場交投清淡，價格應屬於短期的反彈，所以對於後市發展仍需謹慎觀察。

上週 (2/13-2/18)DRAM 現貨市場表現疲軟，交頭相當低迷， DRAM 現貨呈現價跌量縮走勢。二月原屬 DRAM 淡季，今年更見不到實質需求，已衝高的現貨價格在短線投機買盤陸續出場後開始走弱， DDR2 512Mb eTT 及 DDR2 1Gb eTT 的現貨顆粒價格分別下跌 10.78% 及 10.9% ，以 0.91 美元與 1.88 美元做收，而主流品牌 512Mb 顆粒報價大致仍維持在 1 美元上下。

DRAMeXchange 分析師指出，上週價格大幅下滑的主要原因在於需求不振，一旦指標顆粒 DDR2 512Mb eTT 價格跌破 0.9 美元之後，市場上不論是長線或者是投機性買盤，就有可能開始進駐，而且價格跌得越低，買方意願越高，因此價格不易跌破先前低點。

受到 2007 年第四季 NAND Flash 價格劇跌的影響，品牌 NAND Flash 廠商整體營收表現較第三季微幅下跌 2.7% 至 38 億美元， 2007 年全年度 NAND Flash 整體品牌廠商營收則達到 133 億美元，韓國三星（ Samsung ）仍然居於龍頭地位。

由於次級房貸所引發的金融市場風暴延燒到第四季，造成傳統歐美年終採購旺季需求不如預期，再加上主要 NAND Flash 供應商的 5Xnm 新製程產品產出量也較第三季運轉順暢，使得第四季整體產出位元成長約 45% ，從原本的供貨吃緊轉為小幅供過於求；而市場對 2008 第一季全球經濟成長趨緩的悲觀心態，更加劇了 NAND Flash 價格的急跌現象，第四季 NAND Flash 平均價格下跌約 33% 。

根據 DRAMeXchange 最新公佈的快閃記憶體第四季營收排行，三星（ Samsung ）仍然居於龍頭地位，其次為東芝（ Toshiba ）與海力士（ Hynix ），但兩者的市佔率隨著美光（ Micron ）及英特爾（ Intel ）的市佔率提升而呈小幅下滑。整體而言，三星、東芝、海力士意法半導體和 IM Flash 的營收約佔整體品牌 NAND Flash 市場的 98.7% ，形成四強爭鋒的新局面。