ADATA將於1月9日至12日 CES 2018美國消費電子展上推出一系列創新產品，其中包括全球首款XPG RGB SO-DIMM記憶體模組、新型NGSFF超高速PCIe SSD、NV-DIMM記憶體以及最新規格的最新無線充電和儲存產品，ADATA還將展示使用AI技術的高品質機器人產品，讓參觀者體驗創新帶來的便利。

ADATA XPG將展示兩款全新的 RGB DDR4 記憶體，分別為擁有最高 4600MHz 速度的 SPECTRIX D60RGB DDR4記憶體，以及全球首款具備 RGB 光效的 SO-DIMM 記憶體「 SPECTRIX DS40 DDR4 SO-DIMM」 ，兩款記憶體同樣支援XPG Auro Sync軟件，供用家按個人喜好調配出最合心意的發光效果，提供迷你系統改裝玩家全新選擇。

針對遊戲玩家方面，ADATA 帶來了全新的 EMIX H40高品質耳機的，提供了優化的聲音模式，讓玩家快速進入遊戲。此外，EMIX H40特別適用於FPS遊戲（第一人稱射擊遊戲），這是因為其優化的Bit技術可以在FPS遊戲中提供更準確的聲音，讓玩家清晰地聽到周圍的一切。

Toshiba 最新宣佈在 CES 2018 期間將推出新一代 NVMe SSD RC100 系列 SSD，全新 RC100 系列性能上優於目前市場上佔比最高的 SATA 固態硬盤，新款固態硬碟將主攻 DIY 製造商和 PC 玩家群體，此外 Toshiba 亦會展示新款的 XS700 及其他應用 BiCS FLASH 3D 儲存器的產品。

全新 Toshiba RC100 M.2 NVMe SSD 以小巧外形設計，尺寸為 22mm x 42mm，擁有低功耗、出色的性能表現，並將會在 CES 2018 大會上首次亮相。同時，亦將會在 CES 2018 展示包括 96 層 512Gb 晶片、業界第一款採用四級單元 ( QLC ) 技術的 Flash Memory 及 TSV 矽通孔技術的產品。TMA的BiCS FLASH 已經能夠支持當今的企業，數據中心，PC和移動應用，為未來的應用鋪平了道路。

身為垂直堆疊的 3D 快閃記憶體，BiCS FLASH 的顆粒密度遠遠勝過前一代的平面記憶體。此外，BiCS FLASH 更優化了電路技術及製程，繼續微縮了晶片尺寸。96 層 BiCS FLASH 的單位面積儲存空間，已達 64 層 BiCS FLASH 的 1.4 倍。

在去年 Computex 2017 大會上，Plextor 透露了針對消費用家將推出新一代 M9Pe 系列 NVMe SSD，這款 PCI-Express NVMe-SSD 將在今年初正式亮相，日前就率先有 M9Pe NVMe SSD 的 CrystalDiskMark 測試曝光，卓越的性能可媲美 Sasmung 960 EVO SSD。

Plextor全新的 M9Pe 將繼承 M8Pe系列 SSD，Plextor 在 Computex 2017 大會上曾提及 M9Pe 將會是一款 PCIe Gen3x4 NVMe SSD 產品，提供高效纖薄的 heat sink 散熱片設計，並將支援 RGB LED 發光燈效，M9Pe 將採用最新 64 層 3D TLC NAND Flash ，連續讀取速度最高可達 3,100 MB/s 。

SSD 固態硬盤將會變得越來越小，外媒 Tom’s Hardware 最新獲得一個新消息，透露 Intel將會發佈了一款全新的 1TB BGA SSD 固態硬盤產品，與 Toshiba 及 Samsung 同樣採用 MCP多晶片封裝技術，其 3D NAND 將高達 1TB 容量。

Tom’s Hardware 展示了一張由 Intel 取得的圖片，該圖片中有三款 Intel 的產品，圖片的介紹提到：「最左邊是 2016 年的第一代1TB 3D NAND SSD，中間是 2017 年推出的第二代 1TB 3D NAND，最右邊是明年推出的 3D NAND 將會是多少 TB。」根據圖片可看，三款產品分別代表 2.5" SATA3、M.2 及 BGA 封裝的 SSD 產品。

然而，BGA 封裝的 SSD 產品尺寸及引腳數表明這不是一個簡單的 NAND 封裝，全新的 BGA 封裝相比於 Intel 600p SSD ( 圖中第二款產品 )上的 NAND Flash 更大，將識別為 MCP SSD 封裝，體積按規範有 1620 ( 16mm x 20mm )、2024 ( 20mm x 24mm )、2228 ( 22mm x 28mm )、2828 ( 28mm x 28mm ) 四種，Toshiba 及 Samsung 打造了 1620 的 BGA 封裝 BG3 SSD，SATA 6Gb/s 傳輸或帶有兩條/四條的 PCIe 3.0 通道 ( 推測是 NVMe )。

在上週 Toshiba 與 Western Digital 的訴訟紛爭初步已達成和解，並正式將旗下的「東芝記憶體公司」以 180 億美元出售予 Bain Capital，讓公司的業務及未來研發新技術方面擁有更鬆動的資金，Toshiba 除了在日本北上市正在建設 Fab 6 製造廠之外，最新再宣佈計劃投資 10.62 億美元 ( 70 億日元 ) 在日本四日市興建 Fab 7 第七座 NAND Flash 工廠。

據了解，Western Digital 與 Toshiba 和解後將保持合資關係，雙方將繼續共同投資晶片業務，即將投入服務的 Fab6 北上工廠，Western Digital 西數能夠擁有 Toshiba 新生產線的優先投資權，希望與競爭對手 Samsung 、Intel Micron Flash 及 Sk Hynix 一較高下。

Toshiba 目前的 Fab 6 製造廠正在建設中，預計在 2018 年完工，將會主力生產用於智能手機及數據中心的 NAND Flash。當然，Toshiba並沒有減緩在日本架設新設施，將計劃再投資10.62億美元在日本四日市興建 Fab 7 第七座 NAND Flash 工廠。