針對高階電競玩家，Western Digital 推出新一代 WD Black NVMe SSD，改用自家研發的 8 通道主控制器、搭配 SanDisk 64-Layer 3D TLC NAND Flash，提供最高 3,400MB/s Read、2,800MB/s Write 讀寫性能，4K 隨機讀寫高達 500,000 IOPS Read、400,000 IOPS Write，提供五年保固服務、備有 250GB、500GB 及 1TB 容量有供選擇。W

在 2017 年 DRAM 及 NAND Flash 均價齊齊暴升，但踏入 2018 年由於 NAND Flash 良率持續提升，上半年出貨量大增出現供過於求的現象，在 2018 第二季均價下滑了 15-20%，到第三季度價格還要再降 10%，然而價格下跌並非完全負面，需求持續增長讓 Samsung、Toshiba、Micron 等廠商第二季的營收仍然有增無減。

記憶體儲存研究 DRAMeXchange 最新報告指出，NAND Flash 市場在 2018 年第一季受傳統淡季影響，導致市場轉為供過於求。第二季隨著智慧型手機需求復甦、中國智慧型手機廠商提升高容量產品的備貨力道，雖位元出貨量得以支撐，然而，NAND Flash 仍是供過於求，第二季度全球總營收為162.95 億美元，環比第一季度增長了 3.5%，平均價格下滑幅度在15-20%。

展望第三季，儘管為傳統旺季，但旺季不旺的現象明顯，智慧型手機、筆記型電腦等主要消費性產品出貨量的季度成長有限，加上模組廠庫存水位高，DRAMeXchange 分析師葉茂盛指出，供過於求態勢將延續，使得各產品合約價第三季繼續下探，NAND Flash 價格平均跌幅預估將近 10%。

在日前舉行的 Flash Memory Summit 峰會上，SK Hynix 公佈旗下 NAND Flash 產品的未來發展路線圖，新款的 Flash 產品稱為“4D NAND”，由 3D NAND Flash 技術演變出來，相比起 3D NAND 能夠最大限度地減小佔用空間及降低成本。

SK Hynix全新推出的 4D NAND 採用 Charge Trap Flash（CTF）設計，使儲存單元面積更小、速度更快、更耐用（P/E次數多）。與傳統架構相比，4D NAND 的 PUC（Periphery Under Cell）位於儲存單元下方，可縮小晶片的面積、縮短處理工時、降低成本，因此在未來可以製造容量高達 64TB 的 U.2 SSD。

SK Hynix 4D NAND 初期是 96 層堆疊的 512Gb TLC，I/O 接口速度 1.2Gbps（ONFi 4.1標準），預計將在今年 Q4 送樣，SK Hynix 將基於 4D NAND 推出BGA 封裝（16mmx20mm）容量高達 2TB 的 SSD，U.2 eSSD 容量可達 64TB，預計將在 2019 上半年送樣。

Intel 近日除了發佈針對消費用家而設的新一代 QLC SSD 660p，同時間亦發佈了針對伺服器及數據中心而設的「SSD DC P4500」，採用了革命性 12 英寸的“標尺” 外形，能夠儲存高達 32TB 的數據，「SSD DC P4500」融合了性能、容量、可管理性和可靠性，可顯著提高伺服器的靈活性和利用率，同時還可在各種雲端工作負載中加速應用程式。

全新「SSD DC P4500」是 Intel 迄今為止最密集的硬盤，採用 Intel 3D NAND 64 層堆疊技術，可將多個超薄層中的儲存單元堆疊在一起，提供高達 32TB 容量。

「SSD DC P4500」採用了稱為 EDSFF (Enterprise & Datacenter Storage Form Factor ) 設計，長約 12 吋 ( 30cm )、寬1½ 吋，比起傳統的 3.5/2.5 吋 SSD、PCI-e SSD 更節省空間，Intel 表示在 1U 伺服器中可以容納 32 組「SSD DC P4500」，總容量就可以達到 1PB ( 32 x 32 =1024TB )，同時，與一般的儲存硬碟相比新的 3D NAND SSD 的功耗只有十分之一，只需要二十分之一的佔用空間。

Intel 在今日正式發佈面向消費用家的全新 SSD 660p，採用 Intel 64 層 3D QLC NAND，這是業界生產中密度最高的 NAND 產品，可實現更高的儲存容量，用上輕薄的外觀設計，單面 M.2 外形尺寸高達 2TB，Intel SSD 660p 不僅擁有高性能表現，更提供五年保固及低於每 GB 0.20 美元的價格，比市場上不少擁有三年保固的 SATA SSD 更便宜。

Intel SSD 660p 是業界第一款基於 QLC 客戶端的 PCIe SSD，官方表示，預計 2018 年下半年全新的 SSD 660p 可以取代現有採用 TLC 3D NAND 的 Intel SSD 600p 和 Intel SSD 545，在容量方面， SSD 660p 提供了 512GB、1TB 及最大的 2TB 容量，採用 M.2-2280 外形尺寸及 PCIe Gen 3 x 4 接口，相比 PCIe x2 接口帶來更寬的總線，因此可提供更高的傳輸速率。

SSD 660p 系列的核心是由 Intel 及 Micron 合資的 IMFlash Technology 研發，採用新型 64 層 3D QLC NAND Flash，搭配 SIlicon Motion SMI 2263 控制器。該晶片是流行的 SMI2262EN 的衍生產品，採用更新的工藝製造，支援 QLC NAND，具有更小的 PCB 尺寸，並由 Intel 提供了定制固件驅動。