Toshiba Memory 在 Flash Memory Summit 2019 上宣佈推出非揮發性記憶體的 XFMEXPRESS，全新 XFMEXPRESS 是一項針對使用 PCIe 連接的 NVMe 卸除式存放裝置設備的新技術。XFMEXPRESS 技術採用新的外形和創新的插座，提供無與倫比的特性組合，以求革新超薄 PC、物聯網設備和各種嵌入式應用。由於認為需要一種新的卸除式存放裝置類別，Toshiba 記憶體就利用其在單封裝記憶體設計方面的廣泛背景開發了 XFMEXPRESS 技術，獨特設計提供最佳化的功能、穩健性以及專門設計的插座，可提升易用性和散熱效率。

全新 XFMEXPRESS 外觀設計就如一般常規的 SD 卡，尺寸小但性能強大，外觀輕薄(14mm x 18mm x 1.4mm)，面積僅 252mm

，可以在不犧牲性能或可維護性的情況下，最佳化超緊湊的主機設備的安裝空間。由於這種最小化的 Z 高度，XFMEXPRESS 外形非常適合輕薄型筆記型電腦，並為下一代應用和系統創造了新的設計可能性。

Toshiba 正式發佈了全新的「XL-Flash」產品，「XL-Flash」NAND 技術採用了超低延遲的 3D SLC，傳輸速度介乎於 DRAM 及 NAND Flash 之間，實現更高速度及更低延遲值，同時帶來更大容量，成本亦相對較低。

「XL-Flash」是基於 Toshiba 創新的 BiCS FLASH 3D NAND Flash 技術，單顆裸片為 128Gb（16GB），支援 2 Die、4 Die、8 Die 封裝，「XL-Flash」3D SLC NAND 可以打造成 32GB、64GB 及128GB 的 SSD 固態硬碟，可能你會覺得容量唔夠，不過 SLC 產品的容量一般都不會很大，這亦是因為 SLC 顆粒性質決定。

Toshiba 官方表示，與 3D TLC NAND 相比，「XL-Flash」能夠帶來一定數量級的性能提升，延遲不會超過 5μs 微秒，減少 1/10 的操作等待時間。

Toshiba Memory Holdings Corporation 東芝存儲控股公司官方在今日宣佈，將會在 2019 年 10 月 1 日起改名為「Kioxia Holdings Corporation」鎧俠控股株式會社，東芝記憶體集團旗下所有公司都將採用 Kioxia 鎧俠這個新名稱，並於同一天生效，同時所有與儲存業務關聯的公司、分公司、子公司亦會同步改名，至於東芝電子（中國）有限公司劃將於 2020 年春天完成改名事宜。

東芝記憶體株式會社是由創立於 1875 年的工業製造所（更名為芝浦製作所）與 1890 年的白熱舍（後更名為東京電器）於 1939 年合併後所創立的公司，顧其名，取兩公司的頭名合為「東芝」，而其英文名也是依照日語的拼音合併而來；To 代表日語東的發音，Shiba 代表芝的發音。

在 1940 年代以後，Toshiba 透過收購重型機械的製造商而擴大，70 年代以後，Toshiba 開始透過收購其他企業快速擴張，成立東芝 EMI、東芝電子裝置、東芝化學、東芝照明科技、東芝美國資訊系統、東芝搬運裝置等子公司，現在日本八大電機製造商之一。

有留意新聞的用家都記得，Toshiba 的 NAND 晶圓廠在日本當地 6 月 15 日下午 6 點 25 分發生斷電事故，停電過程只有 13 分鐘，但生產線卻停工了 5 天直到 21 日上午才恢復，在事故發生後 Toshiba 官方曾表示需要幾天或者幾週時間才能恢復，不過最新的消息指，自 6 月 15 日該地區短暫停電以來該工廠部分生產線已停工，當中 Fab 2、Fab 3 及 Fab 4 晶圓廠至今仍未恢復營運，預計最快要 7 月中旬才能全面恢復生產，看來是次停電事故的影響較想像嚴重。

雖然 NAND 晶圓廠只有短短 13 分鐘的停電時間，但是生產過程中一旦出現任何的意外影響將會非常之大，晶圓製造屬連續性生產製程，過程中水、電一刻也缺不得，一旦暫停即需耗費極大的停工成本。在製程中的晶圓因斷電將會失去真空環境，就會造成晶圓破片，除了晶圓破損、報廢的損失，重要的還有後續碎片的清理，若有碎片卡在機台對日後良率也將造成影響，事後的全面檢查也遞延了第一時間復工的可能。

此前 Toshiba 雖然對外公開表明工廠停工 5 天後就恢復生產，但是實際情況並非如此，日媒爆料稱受影響的工廠共有 5 座，其中 Fab 2、Fab 3 及 Fab 4 晶圓廠並沒有復工，目前的情況並不明朗，預計到 7 月中旬才能完全恢復。

Toshiba 在 6 月 15 日位於日本三重縣的四日市工廠發生電力故障，由於 Toshiba 在該市擁有多個工廠，因此是次四日市市停電對於 Toshiba 的影響如何備受業界關注。雖然半導體研究中心 DRAMeXchange 指出，由於現階段供應商在 NAND Flash 的庫存水位仍然較高，因此是次停電事件對閃存市場的直接衝擊有限，不會導致市場供需翻轉。不過，相關供應鏈則透露，WD 已通知客戶現階段的影響仍在評估當中，原先預定的出貨時程或可能會有延遲。

目前 Toshiba 在四日市市運營的為 NY2、Y3、Y4、Y5 及 Y6 五個晶圓廠，雖然 Toshiba 正試圖將其生產基地擴展到岩手縣的北上市，但就目前 NAND 生產仍舊以四日市市為中心。Toshiba 在 2017 年 2 月與 WD 合資於四日市開始興建 Fab 6 晶圓廠，作為生產 3D NAND Flash 的專用廠區，到去年 9 月 Fab 6 晶圓廠在正式開幕，該晶圓廠為新設先進半導體製造廠區，並設有記憶體研發中心 (Memory R&D Center)，並會量產 96 層 3D NAND Flash。

Toshiba 今年第 2 季全球 NAND Flash 市佔約 32%，居全球第二，僅次於三星，其五座工廠生產受影響，牽動整體市場供應狀況。