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2009-02-12
Sandisk 宣佈即將大量生產採用 4-Bits-Per Cell (X4) 技術的 MLC 快閃記憶體,採用 43nm 制程支援單顆 64Gb 容量,採用 X4 技術的 MLC 快閃記憶體,內建 X4 記憶體晶片及 X4 控制器晶片,共同結合於多晶片記憶體模組 (Memory Multi-Chip Package ,簡稱 MCP) 內,抄寫速度對比現時多層式晶片技術提升至每秒 7.8MB ,將是是世上最高容量及密度的快閃記憶體單顆粒, 2009 年上半年正式投產。
SanDisk 一直與 Toshiba 合作發展及生產先進的快閃記憶體,今次將共同在 43nm 面積上研發 64Gb X4 快閃記憶體技術,此嶄新的 43nm 64Gb X4 晶片是世上最高容量及密度的快閃記憶體單顆粒,並於今年投入生產,抄寫速度對比現時多層式晶片技術提升至每秒 7.8MB 。 SanDisk 專利的 All –Bit-Line ( 簡稱 ABL) 架構及最近面世的三步程式 (three-step programming ,簡稱 TSP) 及順序意式概念 (sequential sense concept ,簡稱 SSC) 乃是 X4 超卓表現的主要元素。
此外, SanDisk 發展多項先進系統管理的創新應用程式,以解決 4-bits-per-cell 的繁雜技術所帶來的問題。由 SanDisk 研發及擁有的 X4 控 制器,利用首個專為儲存系統而設的改錯碼 (error correcting code ,簡稱 ECC) ,並支援 4-bits-per-cell 所需的 16 層分配模式。
SanDisk 一直與 Toshiba 合作發展及生產先進的快閃記憶體,今次將共同在 43nm 面積上研發 64Gb X4 快閃記憶體技術,此嶄新的 43nm 64Gb X4 晶片是世上最高容量及密度的快閃記憶體單顆粒,並於今年投入生產,抄寫速度對比現時多層式晶片技術提升至每秒 7.8MB 。 SanDisk 專利的 All –Bit-Line ( 簡稱 ABL) 架構及最近面世的三步程式 (three-step programming ,簡稱 TSP) 及順序意式概念 (sequential sense concept ,簡稱 SSC) 乃是 X4 超卓表現的主要元素。
此外, SanDisk 發展多項先進系統管理的創新應用程式,以解決 4-bits-per-cell 的繁雜技術所帶來的問題。由 SanDisk 研發及擁有的 X4 控 制器,利用首個專為儲存系統而設的改錯碼 (error correcting code ,簡稱 ECC) ,並支援 4-bits-per-cell 所需的 16 層分配模式。
2008-11-10
SanDisk 宣佈成功研發出針對固態硬碟 (SSD) 而設的嶄新快閃檔案系統,稱為 ExtremeFFS 技術,可望有望將隨機抄寫速度提高至現有系統之 100 倍,更提供了 LDE (Long-Term Data Endurance) 技術,可準確量計算 SSD 壽命, 並將於 2009 年聯同 SanDisk 的 SSD 產品發售。
為達到最高的隨機抄寫效能, SanDisk 開發快閃檔案管理系統,稱為 ExtremeFFS 技術。該系統以頁面為基的算法操作,這意味著在物理位置和邏輯位置之間沒有固定的關聯。 SSD 能將抄寫中之數據放在最方便、最高效的位置,因此,隨機抄寫效能及整體耐用性均能提升至現有技術之 100 倍。
ExtremeFFS 由一種與分塊無關的架構所組成,該架構中的所有 NAND 通道均能獨立運作,比如部分通道進行讀取,部分進行抄寫或收集垃圾數據。另外, ExtremeFFS 亦能「學習」用戶的使用模式,因應用戶使用情況、時間變化進行數據定位,讓產品發揮最佳的效能和耐用性能。
為達到最高的隨機抄寫效能, SanDisk 開發快閃檔案管理系統,稱為 ExtremeFFS 技術。該系統以頁面為基的算法操作,這意味著在物理位置和邏輯位置之間沒有固定的關聯。 SSD 能將抄寫中之數據放在最方便、最高效的位置,因此,隨機抄寫效能及整體耐用性均能提升至現有技術之 100 倍。
ExtremeFFS 由一種與分塊無關的架構所組成,該架構中的所有 NAND 通道均能獨立運作,比如部分通道進行讀取,部分進行抄寫或收集垃圾數據。另外, ExtremeFFS 亦能「學習」用戶的使用模式,因應用戶使用情況、時間變化進行數據定位,讓產品發揮最佳的效能和耐用性能。