美國記憶體模組廠商 Patriot Memory 最新宣布，推出低延遲高效能 DDR3 1866MHz 記憶體模組，在 1.9V 及 8-8-8-20 的時序之下，為超頻及遊戲級玩家提供發揮系統終極潛能的優質選擇。

成立於 1985 年， Patriot Memory 早期以工業務為主，直至 2004 年，採用自家品牌 Patriot Memory 推出市面，以其多年工業經驗及技術，確保其產品具有一定質素，為市場提供更佳的選擇。

在 1.9V 及 8-8-8-20 的時序之下， Patriot Memory DDR3 1866 低延遲記憶體模組能夠完全發揮超頻玩家電腦系統的性能，透過 Patriot 獨家 Bladed 散熱片技術，可有效提升散熱效率，並降低模組溫度高達 7% 。