64 核心、代號 Chagal 計劃 9 月發售 AMD Ryzen Threadripper 5990X 處理器
文章索引: 處理器 AMD IT港聞 IT要聞
雖然 Ryzen 5000 系列已推出了一段時間,但一直沒有 Ryzen Threadripper 5000 系列的消息,近日 Twitter 爆料大神們透露了 Ryzen Threadripper 5000 處理器 ,保持最高 64 核心、沿用 AMD TRX40 主機板平台,很大機會在今年 8 發正式發佈、9 月開售。

據了解, Ryzen Threadripper 5000 處理器代號為 Chagal,將升級至 Zen 3 微架構,IPC 性能相較上代 Ryzen Threadripper 3000 處理器提升約 19 %,將沿用 TRX40 處理器接口,舊有 AMD TRX40 主機板只需更新 BIOS就能支援。
USB-IF 公佈 USB-C 2.1 新規格登場 新增 48V 電壓 最高 240W 供電能力 USB-IF 25 日公佈全新 USB-C Revision 2.1 標準,新標準其中一個最大改動是可提供更高的電力給裝置使用,由現時最高 20V 提升至最高 48V,最大電流則保持在 5A,令 USB-C 最高供電能力提升至 240W,需要更新通過 Rev 2.1 的 USB-C 線材。

目前 USB-C 的最高 PD 供電能力為 100W,對於一般 Notebook 用家來說已經足夠,但對於具備高階 GPU 的電競 Notebook 則並不足夠,因此 USB-IF 25 日公佈了 USB-C Revision 2.1 標準,其中一個主要改動是新增 Extended Power Range (EPR) 擴展功訊範圍。
AMD 未有計劃推出 Ryzen 3 5000 蘇媽︰產能不足 高階 CPU 型號優先
文章索引: 處理器 AMD IT港聞 IT要聞
AMD 執行長 Lisa Su 在摩根大通會議上透露,由於產能無法 100% 滿足整個市場,AMD 現在會優先供應高階商用、遊戲市場 CPU,只能犧牲低階至入門級 CPU 市場,暫時未有計劃入門級 Ryzen 3 5000 型號。

儘管 AMD 近期 CPU 供應已經有所改善,熱門型號 Ryzen 5 5600X 與 Ryzen 9 5900X 售價亦開始回落,但並不代表 AMD 完全解決,事實上在入門級型號 Ryzen 3 3100 / Ryzen 3 3300X、Ryzen 3 3200G / Ryzen 5 3400G 仍然很難買到,一 U 難求。

AMD 執行長 Lisa Su 早前在摩根大通會議上被問及低階 CPU 市場,她認為 AMD 在低階 CPU 市場上做得不夠好,主要是產能無法 100% 滿足下,公司只能優先供應利潤較高的高階 CPU 型號,今年內未有計劃推出新的低階 CPU 型號。
PHISON 推出新版 PS5018-E18 SSD 控制器 追加 176 層 3D TLC 支援 性能再提升 35% PHISON 26 日宣佈推出新版 PS5018-E18 控制器,能支援全新 176 層 3D TLC NAND Flash,能大幅改善了隨機讀取的延遲,在低隊列深度下實現了 35% 性能提升,並且可實現最高 7,400MB/s Read、7,000MB/s Write 連續順序讀寫能力,新版本 PS5018-E18 控制已開始向製造商合作夥伴出貨。

其實 PHISON 早前已出貨 PS5018-E18 控制給 CORSAIR、GIGABYTE 等合作伙伴,但這些早期版本僅支援最高 96 層 3D TLC NAND Flash (eg., Micron B26N),不過 PHISON 已推出了新版 PS5018-E18 控制器,追加 176 層 3DTLC NAND Flash 顆粒,實現了對176 層3D TLC NAND 的支持(eg., Micron B47R 顆粒),並且大幅改善了隨機讀取的延遲,在低隊列深度下實現了35%的性能提升。

作為全球領先的NAND閃存控制器集成電路與存儲解決方案提供商之一,群聯電子股份有限公司今日宣布旗下PS5018-E18 PCIe Gen4主控已開始向。結合E18主控與176層NAND閃存,官方宣稱可達成7400 MB/s的順序讀取和7000 MB/s的順序寫入速度。`
TSMC 3nm 制程第三季進行風險試產 密度 +70%、性能 +15%、功耗 -30%
文章索引: 半導體 TSMC IT港聞 IT要聞
綜合外電報導,TSMC 台積電 3nm 制程工廠建設進展順利,將會在第三季正式進入風險試產,如果順利的話將會於 2022 年大規模量產 3nm 晶片,TSMC 將在晶圓代工技術上保持領導優勢。

據了解,無論是 TSMC 或是 SAMSUNG,半導體制程均已推進至 3nm 級別,技術研發基本上已完成,剩下來是產能和良率問題了,但 2nm 制程將會是 TSMC 的重大挑戰,因為 SAMSUNG 提早在 3nm 制程中導入 GAA 環繞閘極工藝,TSMC 做法則比較保守,選擇在 2nm 制程才導入 GAA 環繞閘極工藝,所以 2nm 對 TSMC 來說將會是一次重要的技術世代。

與 5nm 制程相比, TSMC 3nm 的電晶體管密度提升70%,性能提升 15% 或者功耗降低 30%,表現相當出色。