點解只有1.1V 出?

quoy

我係唔係搞錯左D咩?

+BAT =3.7V,  點解RC_DELAY 用meter 度出黎只有1.1V 而唔係3.7V?

xiao

我係唔係搞錯左D咩?

+BAT =3.7V,  點解RC_DELAY 只有1.1V 而唔係3.7V?
quoy 發表於 2013-6-13 12:29

N type 是 GS 0v = conduction, GS  2V = off
是這樣嗎

quoy

N type 是 GS 0v = conduction, GS  2V = off
是這樣嗎
xiao 發表於 2013-6-13 12:52

N mosfet (2N7002) >1.7V ON,  1.1V係我用meter度出黎. 原本我係想要出黎要有3.7V的

eeek

回復 3# quoy

應該出唔到 3.7V.
睇你份 datasheet, 當 VGS < 1V, 粒嘢會 off....這已經係最好情況...

用 NPN得唔得? 如果用 NPN, 應該出到 3.0~3.1V.

icefire

concept錯喎，點會用N-MOSFET做
VGS要>3V先 fully on，如果你想Source位有3.7V，但你Drain/Gate位又係3.7V，咁咪VGS = 0!
應該用P-MOSFET做，Gate落ground，VGS=-3.7V，fully on

oo0t0oo

高端驱动的(N)MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V

係咪嚟個原因.

quoy

concept錯喎，點會用N-MOSFET做
VGS要>3V先 fully on，如果你想Source位有3.7V，但你Drain/Gate位又係3.7V ...
icefire 發表於 2013-6-13 13:46

原來如此, 我其實係想RC_DELAY 一開係0V, 之後過左0.03s 就變成+BAT 電壓. 咁我應該點做先好? 電壓只有個+BAT OR GND.

icefire

原來如此, 我其實係想RC_DELAY 一開係0V, 之後過左0.03s 就變成+BAT 電壓. 咁我應該點做先好? 電壓只有個 ...
quoy 發表於 2013-6-13 13:54

Q1轉P-MOSFET，C7，R21位置掉轉，C7駁Drain-Gate，R21駁Gate-Soruce。
同N-MOSFET circuit原理一樣，起動時C7要慢慢charge up到-3.7V

quoy

Q1轉P-MOSFET，C7，R21位置掉轉，C7駁Drain-Gate，R21駁Gate-Soruce。
同N-MOSFET circuit原理一樣，起動 ...
icefire 發表於 2013-6-13 14:09

係唔係咁?

quoy

回復  quoy

應該出唔到 3.7V.
睇你份 datasheet, 當 VGS < 1V, 粒嘢會 off....這已經係最好情況...

用 N ...
eeek 發表於 2013-6-13 13:28

其實VGS電壓 應該點計?