爾必達50nm DDR3顆粒開發完成

Darkaz

日本爾必達公司今天宣布，公司已經完成50nm制程DDR3 SDRAM的開發工作。該顆粒創下多項業界第一，如全球最節能，封裝體積最小，同時實現了2.5Gbps的高速度和1.2V的低電壓。　　該DDR3顆粒採用了193nm浸潤式光刻技術制造，單顆芯片面積不到40平方毫米。除支持DDR3內存標准的1.5V電壓外，還可支持1.35V或1.2V的低電壓工作，功耗比70nm制程產品降低50%以上。數據傳輸率有800Mbps、1066Mbps、1333Mbps、1600Mbps、1866Mbps、2133Mbps和2500Mbps多檔。
　　爾必達表示，採用50nm制程的DDR3顆粒將于明年第一季度開始量產。公司同時還宣布使用50nm工藝，開發針對高端消費電子產品的Mobile RAM存儲芯片產品。



http://financenews.sina.com/sinacn/304-000-106-109/2008-11-26/0009962760.html

Darkaz

ddr3普及吧

LKNim

除支持DDR3內存標准的1.5V電壓外，還可支持1.35V或1.2V的低電壓工作，功耗比70nm制程產品降低50%以上。數據傳輸率有 800Mbps、1066Mbps、1333Mbps、1600Mbps、1866Mbps、2133Mbps和2500Mbps多檔。

[N.H.K]anime

原帖由 LKNim 於 2008-12-20 12:44 發表
除支持DDR3內存標准的1.5V電壓外，還可支持1.35V或1.2V的低電壓工作，功耗比70nm制程產品降低50%以上。數據傳輸率有 800Mbps、1066Mbps、1333Mbps、1600Mbps、1866Mbps、2133Mbps和2500Mbps多檔。

1.2唔代表係2500....

LKNim

原帖由 [N.H.K]anime 於 2008-12-20 22:43 發表

1.2唔代表係2500....

俾你1.65V上到2500都夠神喇掛- -"