del,.............

本帖最後由 penay 於 2026-1-25 00:40 編輯

del..........

國產記憶體大躍進!長鑫存儲


加價潮 帶挈國產撈一筆
有助提升技術產能
數量唔算多總好過畀人揸住條頸冇 ...
penay 發表於 2026-1-22 16:29


南韓起訴 10 名前三星工程師
涉嫌將 10nm DRAM 技術洩漏給中國長鑫
文: 編輯部 / 新聞中心
文章索引: IT要聞 IT快訊
【有內鬼 ... 😵‍💫 】外媒報導,南韓檢方逮捕了 10 人、其中 5 名為前三星員工,指控其涉嫌向中國記憶體大廠長鑫存儲(CXMT)洩漏三星 10nm DDR5 核心技術,協助長鑫存儲成為中國首間、亦是全球第 4 家量產 10nm 級 DRAM 記憶體顆粒的公司,令南韓造成高達數萬億韓元的經濟損失。



據南韓《中央日報》報導,被捕的前三星員工當中,部分人已任職長鑫存儲研發部門,其中一人更成為公司董事。調查過程中,檢方發現他們洩漏了數百項 10nm 級 DRAM 工藝流程資訊,使長鑫存儲得以在 2023 年生產出中國首款 10nm DRAM 晶片,包括 HBM3 及 DDR5 記憶體產品。



南韓檢方指控長鑫存儲透過招募關鍵人才,加速其 10nm DRAM 製程的研發。值得注意的是,與傳統邏輯晶片製造所使用的 10nm 製程不同,10nm DRAM 製程競爭極為激烈。SK Hynix 的第六代 10nm DRAM 製程預計要到 2024 年底才開始量產,三星本身亦投入了 1.6 兆韓元(約 10.8 億美元),歷時五年研發 10nm DRAM 技術。



截至 2025 年底,長鑫存儲每月可生產高達 28 萬片晶圓,約佔全球 DRAM 產量的 15%。南韓檢方估計,今次洩漏事件已令南韓蒙受高達數萬億韓元的經濟損失。


YES~~好在偷得好~~唔係有排無平RAM用
加油~

TOP

YES~~好在偷得好~~唔係有排無平RAM用
加油~
gerrardjamie 發表於 2026-1-22 05:28 PM

你認為大陸間廠係善堂, 會大平賣?

TOP