作者: lcska02nkc 時間: 2012-1-18 22:04 標題: Ivy Bridge：成也22nm 败也22nm
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作者: Puff 時間: 2012-1-18 22:06
誰說 AMD 不追求的啊。
作者: lcska02nkc 時間: 2012-1-18 22:11
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作者: 小伙子 時間: 2012-1-18 22:17
之前唔係有篇野係講AMD唔會瘋狂地追求咩?
lcska02nkc 發表於 2012-1-18 22:11
咁同求學不是求分數有咩分別
作者: Kundera 時間: 2012-1-18 22:18
第時細到一支針果陣點散熱?
作者: ricky1992 時間: 2012-1-18 22:20
cpu 做埋內置散熱得唔得呀?
作者: Puff 時間: 2012-1-18 22:34
本帖最後由 Puff 於 2012-1-18 22:36 編輯
之前唔係有篇野係講AMD唔會瘋狂地追求咩?
lcska02nkc 發表於 2012-1-18 22:11
那是做 PR 用的，不然 Wichita canned 三個 quarter 的空窗期要 rebrand Brazos，你要怎跟那群很容易 angrybirdization 的 Financial Analysts 解釋？
作者: vcfirstben 時間: 2012-1-18 22:37
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作者: lcska02nkc 時間: 2012-1-18 22:48
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作者: eeeuser 時間: 2012-1-18 22:56
cpu 做埋內置散熱得唔得呀?
ricky1992 發表於 2012-1-18 22:20
不如內置水冷
作者: destiny2009 時間: 2012-1-18 23:02
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作者: vinsai 時間: 2012-1-18 23:08
咁即係唔超就冇事啦
定係好似部分notebook咁
唔可以全部核心full load
作者: wgpoon 時間: 2012-1-18 23:15
之前唔係有篇野係講AMD唔會瘋狂地追求咩?
lcska02nkc 發表於 2012-1-18 22:11
更低nm 體積係每一廠圓晶廠所追求的
因為同一圓晶下, 更低nm 體積就可以砌割更多粒晶片,
成本就大大下打降
作者: 044003 時間: 2012-1-18 23:17
請師兄指點
到底工藝進步會令功耗低啲定高啲
作者: Puff 時間: 2012-1-18 23:18
請師兄指點
到底工藝進步會令功耗低啲定高啲
044003 發表於 2012-1-18 23:17
同一個 ASIC 設計、同樣既 Specification，Die size shrinks & power consumption 下降。
作者: wilsonkf 時間: 2012-1-18 23:20
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作者: wilsonkf 時間: 2012-1-18 23:20
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作者: ricky1992 時間: 2012-1-18 23:23
不如內置水冷
eeeuser 發表於 2012-1-18 22:56
密封式致冷片得唔得
作者: mlyu 時間: 2012-1-18 23:24
如果係細o左, area 少o左難散熱, 咁不如加大 cache 加返大個 area 啦?
不過唔似係咁o既原因喎, 所以我有o的懷疑係咪真
作者: 044003 時間: 2012-1-18 23:24
進步＞低
縮細＞高
wilsonkf 發表於 2012-1-18 23:20
明解
作者: ononine 時間: 2012-1-18 23:27
用少部份人既超頻興趣去睇成敗，會唔會搞笑左d
作者: kan_hung 時間: 2012-1-18 23:40
咁即係唔超就冇事啦
定係好似部分notebook咁
唔可以全部核心full load
vinsai 發表於 2012-1-18 23:08
唔超頻的話全部核心full load應該冇問題掛
ivy bridge原本個頻率同溫度應該唔錯的
作者: wgpoon 時間: 2012-1-18 23:48
95W TDP > 77W TDP 唔多關個大細事 wor
sandy bridge 超到用 300W 電，靠 IHS 都散得切啦，ivy bridge 都未 ...
wilsonkf 發表於 2012-1-18 23:20
其實應該話核心細左,
傳熱面積一樣細埋
咁細面積下根本頂唔到95TDP,
即使用LN2 都好, 熱力唔能夠有效傳走,
結果一full load 就爆上105度
作者: ddb493 時間: 2012-1-19 00:01
面積細左都會省電左同低溫左, 現在是接觸面問題,
INTEL將8核心平民化就可以解決
作者: eh 時間: 2012-1-19 00:08
其實應該話核心細左,
傳熱面積一樣細埋
咁細面積下根本頂唔到95TDP,
即使用LN2 都好, 熱力唔 ...
wgpoon 發表於 2012-1-18 23:48
都唔係既,睇溫差姐
下次可能IHS內加vapor-chamber/導金
作者: lockon 時間: 2012-1-19 00:15
有U有真相
作者: Puff 時間: 2012-1-19 00:16
其實應該話核心細左,
傳熱面積一樣細埋
咁細面積下根本頂唔到95TDP,
即使用LN2 都好, 熱力唔 ...
wgpoon 發表於 2012-1-18 23:48
其實重點是 Ivy Bridge 有 Configurable TDP... Nominal TDP 低了不代表 Max TDP 低了.
作者: 貧僧 時間: 2012-1-19 00:29
其實重點是 Ivy Bridge 有 Configurable TDP... Nominal TDP 低了不代表 Max TDP 低了.
Puff 發表於 2012-1-19 00:16
越細粒咪用越少電 越少電就越低溫 點會出現太細而導唔到熱
作者: 爆屎佑 時間: 2012-1-19 02:35
用少部份人既超頻興趣去睇成敗，會唔會搞笑左d
ononine 發表於 2012-1-18 23:27
CPU用黎服務大眾 而唔係為超頻而生
作者: dom 時間: 2012-1-19 02:44
我们此前已经多次提到过在今年的四月份，Intel就将会推出下一代22nm制程的Ivy Bridge处理器。新一代Ivy Bri ...
lcska02nkc 發表於 18-1-2012 10:04 PM
Intel 都撞板既話 以 GF x AMD x IBM 既 Fab R&D 能力........
AMD x GF 我真係有d 擔心 , Bulldozer 架構重要推高頻先高效率d....
作者: dom 時間: 2012-1-19 02:45
如果係細o左, area 少o左難散熱, 咁不如加大 cache 加返大個 area 啦?
不過唔似係咁o既原因喎, 所以我有o ...
mlyu 發表於 18-1-2012 11:24 PM
Cache 運用時一樣有熱量........
作者: dom 時間: 2012-1-19 02:47
溫度靠原裝散熱器肯定控制不了。
即係講 原 裝 cut 得太過火
作者: mickey123qwe 時間: 2012-1-19 03:31
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作者: convil 時間: 2012-1-19 07:39
AMD唔生性啫, 如果唔係INTEL班ENGINEER死都死個SOLUTION出嚟
作者: 車道士 時間: 2012-1-19 09:42
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作者: tuyylihk 時間: 2012-1-19 09:49
本帖最後由 tuyylihk 於 2012-1-19 09:52 編輯
我都有少少懷疑...都係等正式測試
散熱面積細左我明
但而家每次新製程面積隨之都縮細(煙條限定...),咁咪應該代代都出問題?!
點解會到22nm先黎爆大穫?
Core(65nm)->Penryn(45nm)都一樣縮細勁多,又唔見有問題?
定只係講緊原裝散熱太雞咋
作者: chungkai 時間: 2012-1-19 09:54
我都有少少懷疑...都係等正式測試
散熱面積細左我明
但而家每次新製程面積隨之都縮細(煙條限定...),咁咪應 ...
tuyylihk 發表於 19/1/2012 09:49 AM
可能之前都有....不過去到22nm就開始明顯..
作者: 燕飛 時間: 2012-1-19 11:54
DIE厚度冇變過?
作者: anonymoushk 時間: 2012-1-19 11:56
AMD : 做大粒D，塞多D野入去咪得… 拿，比多800sp 你，正呀 >_<
可以買少張 5770 ，而且整潔D
佢接觸面太細定IHS 入面出左gap位? 莫非又要學當年咁起鐵蓋= =?
作者: MrWhite 時間: 2012-1-19 18:38
95W TDP > 77W TDP 唔多關個大細事 wor
sandy bridge 超到用 300W 電，靠 IHS 都散得切啦，ivy bridge 都未細到一半，150W 點都無問題既
wilsonkf 發表於 2012-1-18 23:20
(22/32)^2 = 0.473
有可能細左一半~
作者: royleung007 時間: 2012-1-19 19:17
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作者: victorlai 時間: 2012-1-19 20:07
ivy 都比上期同階CPU貴
作者: dom 時間: 2012-1-19 21:33
一邊散熱唔得，咪做兩邊囉，但如果做上下散熱，到時底板同機箱唔知點就
針腳又唔知點排好 ...
mickey123qwe 發表於 19-1-2012 03:31 AM
做兩邊散熱
點設計塊板同 Socket
作者: wilsonkf 時間: 2012-1-19 23:54
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作者: albert_ma 時間: 2012-1-20 12:11
我都有少少懷疑...都係等正式測試
散熱面積細左我明
但而家每次新製程面積隨之都縮細(煙條限定...),咁咪應 ...
tuyylihk 發表於 19/1/2012 09:49
因為22nm用3D-transistor?
3D-transistor 突左舊野出黎，同IHS 接觸既面積咪細左(唔知係咪真...我估的)
作者: 掃馬想機 時間: 2012-1-20 12:29
其實整多Dtransator咪可以又提升效能同DIE 面積羅?!
作者: 掃馬想機 時間: 2012-1-20 12:31
Intel 都撞板既話 以 GF x AMD x IBM 既 Fab R&D 能力........
AMD x GF 我真係有d 擔心 , Bulldozer 架 ...
dom 發表於 2012-1-19 02:44
制程慢D唔係唔好.........
以bulldozer咁多transator同咁多核,應該問題不大GWA~~
作者: 掃馬想機 時間: 2012-1-20 12:32
AMD唔生性啫, 如果唔係INTEL班ENGINEER死都死個SOLUTION出嚟
convil 發表於 2012-1-19 07:39
intel唔會想自己die過熱麻.......
作者: albert_ma 時間: 2012-1-20 12:32
其實整多Dtransator咪可以又提升效能同DIE 面積羅?!
掃馬想機 發表於 20/1/2012 12:29
整多D唔洗錢咩
作者: tuyylihk 時間: 2012-1-20 13:57
因為22nm用3D-transistor?
3D-transistor 突左舊野出黎，同IHS 接觸既面積咪細左(唔知係咪真...我估的):d ...
albert_ma 發表於 2012-1-20 12:11
有冇先進到咁
作者: anonymoushk 時間: 2012-1-21 01:30
整多D唔洗錢咩
albert_ma 發表於 2012-1-20 12:32
晶元 cut 大忽D出黎… 唔好放咁密
intel: 超頻 fullload 過熱關我咩事…
作者: destiny2009 時間: 2012-1-21 10:00
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作者: wkchun 時間: 2012-1-21 11:38
INTEL 一定有辨法解決!
作者: jet1 時間: 2012-1-23 22:29
唔超!!??以後咪無"K"用?
作者: qaz11 時間: 2012-1-24 06:33
我都有少少懷疑...都係等正式測試
散熱面積細左我明
但而家每次新製程面積隨之都縮細(煙條限定...),咁咪應 ...
tuyylihk 發表於 2012-1-19 09:49
可能以前改善咗製程, 面積都係細咗,但同時又加多咗, 而家冇咩壓力要同人鬥CPU快,慢慢攪唔洗加咁又可以搵多轉. 相比一年前既Sandy bridge, ivy既performance一d都唔算吸引.
作者: 真衰鬼 時間: 2012-1-27 01:10
不如內置水冷
eeeuser 發表於 2012-1-18 22:56
水冷可能從此普及！
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作者: 魂.遊 時間: 2012-1-27 02:19
我隻INTEL銅底HS由PD820用到而家
作者: max918 時間: 2012-1-27 10:07
將CPU整成三角錐體
作者: popolocrois 時間: 2012-1-27 20:15
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作者: dom 時間: 2012-1-28 03:24
制程慢D唔係唔好.........
以bulldozer咁多transator同咁多核,應該問題不大GWA~~
掃馬想機 發表於 20-1-2012 12:31 PM
有鬼用咩
cost 高過人 , yield 又低過人
死得
