Samsung DRAM 工廠發生污染事故
韓媒 BusinessKorea 在上週報導,Samsung 南韓器興(Giheung)廠,因為 8 吋矽晶圓生產線採用了受到污染的設備,導致產品出現瑕疵。一名三星高層坦承,的確發現瑕疵品,但製程已獲修正,損害規模估計有上億韓元。
其實,今次 Samsung 電子晶圓代工產品傳出發現瑕疵並非第一次,在今年稍早時間,Samsung 第一代 10nm ( 1x nm ) DRAM 產品就曾出現過問題,這次則是晶圓代工業務出事,恐傷及 Samsung 的業界信譽。
據了解,Samsung 8 吋矽晶圓事故在一個星期之前發生,消息稱出問題的並非新的 300mm 晶圓廠,而是 Samsung 位於京畿道器興的工廠,這是一家 Samsung 較小的工廠之一,依然用 200mm 的晶圓生產 1x nm 的 DRAM,所以造成的損失比台積電那次小得多,Samsung 官方承認發現了有缺陷的產品,要處理受污染的幾批晶圓,但是目前生產已經正常化並重回正軌,暫時預估損失約上億韓圜。
部分專家直指損害規模也許遠多於 Samsung 預估。一名業界人士透露,污染設備影響了整座工廠,將有可能導致大批相關晶圓要報廢,損失慘重,然而 Samsung 並未計算及評估出真正的虧損金額,實際損失可能遠比官方估計還多。
晶圓代工產品傳出事故,恐打擊公司信譽,對正在積極投資晶圓代工事業,希望能在 2030 年奪下業界冠軍的 Samsung 而言,傷害恐怕不小。
DRAM 行業的漲價也通常伴隨着內存廠商的各種生產事故,此前 SK Hynix 無錫大火、泰國洪災影響了記憶體、硬碟價格走勢,後續又有Samsung 西安 NAND 工廠的停電、Micron 臺灣工廠的氮氣污染、Toshiba 10 萬片晶圓報廢等。所以,Samsung 工廠這次生產設備遭污染,也不免讓大家聯想到是為了藉機漲價。